据韩媒IT Chosun援引业界消息，三星电子近期决定撤回其10纳米级第七代1d DRAM的量产计划，原因是良率不足以及缺乏客户需求。这一决定引发了业界对其下一代高带宽存储器（HBM）发展蓝图可能延迟的担忧。
知情人士透露，三星管理层在评估1d DRAM的良率和投资回报率（ROI）后，认为该制程目前“不适合量产”。原计划是在2026年第一季度完成量产准备批准（PRA）流程后启动生产，但因技术问题和市场需求不足，计划被搁置。
1d DRAM是三星计划用于HBM5E的核心制程。尽管HBM4、HBM4E和HBM5仍可依赖1c DRAM，但HBM5E需要稳定的1d DRAM供应。此前，三星存储器开发负责人黄相俊曾在NVIDIA GTC 2026上表示，HBM5E将采用1d制程，这一表态与当前的量产延迟形成鲜明对比。
此外，三星内部约400名负责1d DRAM量产的特别任务小组（TF）成员目前处于闲置状态。该小组自两年前便开始为量产目标运作，但由于开发产品验收未通过，核心工程师目前仅能停留在信息交流阶段。
与此同时，竞争对手SK海力士已完成了1d DRAM的开发，并实现了50%以上的稳定量产良率。业界分析认为，三星在2025年同时开发1c DRAM和1d DRAM的策略分散了研发资源，导致其面临被专注单一技术的对手超越的风险。
三星表示，将无限期推迟1d DRAM的量产计划，直到良率达到目标值。目前，公司正全面重新审视制程蓝图，以进一步提升良率和竞争力。
