据韩媒《釜山日报》援引业界消息，三星电子正计划将高带宽存储器（HBM）的开发周期从目前约2年大幅缩短至1年以内。此举被认为是为了应对AI半导体市场的快速成长，并通过整合存储器设计、晶圆代工制造和先进封装能力，进一步巩固其在下一代HBM市场的竞争优势。
在早期HBM1和HBM2阶段，HBM的更新周期并不固定。然而，随着NVIDIA等主要客户将其GPU发布周期缩短至1~2年，存储器厂商也加速了HBM的开发步伐。从HBM2E到HBM3、HBM3E再到HBM4，每一代产品的更替大约需要2年时间。然而，AI加速器的发布周期正在进一步缩短，存储器若无法同步进化，将面临竞争劣势。因此，三星决定将HBM的开发周期压缩至1年以内。
业内人士指出，这一调整意味着三星需要重新构建其整个业务架构。三星的优势在于其具备一站式解决方案能力，涵盖存储器设计、晶圆代工制造和先进封装技术。这种能力使其能够灵活应对客户路线图的变化，并快速提供定制化产品。
据悉，三星将从过去供应单一规格产品的模式，转向根据NVIDIA、AMD等客户下一代AI芯片设计需求，快速提供优化的定制化HBM结构。这一策略不仅有助于三星在HBM5市场占据主导地位，还能够与全球科技公司缩短产品开发周期的需求高度契合。
业界普遍认为，三星正在构建一套能够提前开发下一代产品并快速投入市场的高效体系，以在AI存储器领域保持领先地位。
