据报道，国际存储器原厂逐步退出2D NAND快闪存储器市场，导致低容量2D NAND价格飙升。近期市场传出，联电可能接获SLC、MLC Flash的代工订单，或打破未来2D NAND寡占供货的局面。然而，业界认为实际执行仍面临诸多挑战。
供应链人士透露，自2026年以来，NAND Flash价格涨势迅猛，涨幅甚至超过DRAM，尤其是MLC和SLC NAND的供货缺口显著。近期下游业者表示，MLC NAND价格在4月上涨了近30%。尽管如此，联电接获相关订单的可能性仍受到多重限制。
相关业者指出，快闪存储器代工面临三大关键瓶颈：人才、技术整合与设备问题。首先，2D NAND领域的技术人才稀缺，多数工程师已转向3D NAND研发。其次，联电虽有厂房空间，但核心技术与存储器领域差距较大，重新投入资源耗费巨大。最后，设备问题难以解决，老旧设备的维修零件和人力难以获取，而购买新设备则需重新研发与调试，投资回报充满不确定性。
此外，联电近期向客户发出涨价通知，明确2026年下半年将上调晶圆报价。据称，8英寸晶圆产线涨幅达10~15%，12英寸产线的80纳米、55纳米、40纳米制程涨幅约为5~10%。此轮涨价主要回补成熟制程的降价幅度，对已签订长约的IC业者影响有限。
联电表示，2026年上半年以来，通信、工业、消费电子及AI相关领域需求强劲，加上原物料、能源及物流成本上升，促使公司决定调涨价格。相关供应链业者认为，此次调整将逐步转嫁至下游客户。
尽管市场对联电代工快闪存储器的传言充满期待，但短期内技术移转与代工合作仍缺乏可行方案。未来，联电能否突破瓶颈，仍需进一步观察。
