据业内人士透露，三星电子晶圆代工业务部门已制定明确目标，计划在2030年前完成1nm半导体工艺的研发并实现量产。这一技术被称为“梦想半导体”工艺，其核心计算单元的尺寸仅相当于五个原子的宽度，代表了半导体制造领域的全新突破。
1nm工艺不仅追求元件的小型化，还将引入“fork sheet”（叉片）新结构。在2nm工艺中，元件采用环栅（GAA）技术制造，通过将电流路径从传统的三边扩展到四边，显著提升了功率效率。“fork sheet”技术则进一步缩短了GAA元件之间的距离，通过在元件间构建电绝缘壁，实现芯片单位面积内更多元件的集成。
目前，三星电子在全球晶圆代工市场排名第二，与占据近70%市场份额的台积电相比仍有较大差距。然而，三星电子自2019年提出“2030年成为系统半导体第一”的愿景以来，持续在先进工艺领域发力。2019年，三星率先推出7nm极紫外（EUV）光刻工艺；2022年，又在3nm工艺中首次采用GAA元件，展现了其技术实力。
据报道，台积电也计划在2030年后将“fork sheet”技术引入1nm工艺。业界认为，三星电子通过制定明确的1nm工艺路线图，已为与台积电展开同等技术竞争做好准备。
与此同时，三星电子正加速改进其2nm工艺技术。公司正在开发“SF2T”定制工艺，用于特斯拉2nm AI6芯片的量产。这款芯片预计将于2027年起在三星位于泰勒的新晶圆代工厂投产。此外，三星还推出了“SF2P”和“SF2P+”工艺，分别用于生产新型智能手机应用处理器（AP）。业内人士表示，由于2nm工艺的良率已超过60%，生产效率持续提升，市场对其实现盈利的预期也在不断升温。
