据媒体报道，三星电子正在开发第八代高带宽内存HBM5，该内存采用2nm工艺制造，用于基础芯片。对于第九代HBM5E，三星计划在核心芯片上应用基于1d（第七代10nm级）工艺的DRAM。与此同时，三星还为英伟达代工生产新型人工智能推理专用芯片Groq 3 LPU，这款芯片采用4nm工艺制造。
三星晶圆代工事业部总裁Han Jin-man表示，三星的4nm工艺技术具有很强的竞争力，并对稳定供货充满信心。他还透露，Groq 3 LPU正在平泽工厂生产，今年订单量超出预期。此外，三星的HBM4基础芯片也是采用4nm工艺制造，预计未来对4nm工艺的需求将显著增长。
Han Jin-man提到，早在2023年，三星便与Groq展开合作，甚至在英伟达收购Groq之前，三星的工程师就已参与项目并协助设计工作。他强调，英伟达和Groq在合作初期曾评估过三星芯片的性能，最终选择了三星作为代工厂。
三星半导体解决方案（DS）事业部存储器开发执行副总裁Hwang Sang-joon表示，HBM5的核心芯片采用1c（第六代10nm级）工艺，而基础芯片则采用2nm工艺开发。对于HBM5E，核心芯片将采用1d nm工艺，基片继续使用2nm工艺。三星此前已将1c DRAM应用于HBM4核心芯片，并采用4nm工艺制造基片，成功实现业界领先的性能。
在2026年3月16日举行的GTC大会上，Hwang Sang-joon和Han Jin-man在三星展位上介绍了相关技术。这是三星高管罕见地参与由英伟达主办的GTC大会并进行公开讲解。当天，英伟达CEO黄仁勋与两位三星高管合影，并在Groq 3 LPU和HBM4晶圆上签名，分别写下“GROQ SUPER FAST”和“AMAGING HBM4!”。
Han Jin-man还透露，Groq 3 LPU的量产预计将在第三季度末或第四季度初启动，预计明年市场需求将大幅增长。这些动态表明，三星在高带宽内存和先进制程代工领域持续发力，与英伟达的合作也进一步深化。
