据韩媒《Herald经济》和《亚洲经济》等报道，三星电子在GTC 2026大会上披露了下一代高带宽存储器（HBM）技术路线图。三星计划从第8代产品HBM5开始，在基础裸晶中引入2纳米制程。此外，NVIDIA旗下的Groq 3语言处理器（LPU）将由三星晶圆代工生产，预计在2026年第3季末或第4季初进入量产。
三星半导体暨装置解决方案（DS）部门存储器开发负责人黄相准与晶圆代工事业部长韩进万在大会现场接受了采访，详细介绍了HBM产品规划和Groq 3 LPU的代工细节。根据规划，三星第8代HBM5将采用第六代10纳米级（1c）制程，同时在基础裸晶中导入2纳米制程进行开发。而第9代产品HBM5E的核心晶粒则将率先采用第七代10纳米级（1d）DRAM。
从第6代产品HBM4开始，三星将沿用1c制程，但基础裸晶将采用更先进的2纳米制程。三星已经在HBM4核心晶粒中率先导入1c DRAM，基础裸晶则使用4纳米制程制造，并于2026年2月完成了对NVIDIA的供货。
NVIDIA CEO黄仁勋在GTC 2026主题演讲中提到，三星正在生产Groq 3 LPU。三星晶圆代工部门预计在2026年第3季末或第4季初正式启动量产，预计2027年起需求将进入增长轨道。韩进万表示，Groq 3 LPU正在韩国平泽厂以4纳米制程生产，2026年的订单量已超出预期。由于HBM4的基础裸晶也使用4纳米制程生产，未来对4纳米产能的需求将大幅提升。
此次三星半导体部门的主要管理层罕见地亲赴NVIDIA GTC现场，并直接说明产品细节，这在业界较为少见。
