三星联手英伟达，HBM内存与芯片代工合作再升级

6月8日晚，三星电子半导体与设备解决方案（DS）部门主管全永铉在首尔新罗酒店，同英伟达首席执行官黄仁勋及其核心管理团队举行了会晤。据透露，此次交流氛围融洽，双方就短、中、长期的多维度合作进行了深入探讨。全永铉指出，这是双方历次沟通中效果最佳的一次，并确认未来将在新一代存储器及晶圆代工领域进一步深化合作。

在短期规划上，三星致力于在2026年前保障第六代高带宽内存（HBM4）和SOCAMM向英伟达的稳定供货。据悉，三星目前已开始量产并交付用于英伟达新一代Vera Rubin人工智能加速器的HBM4产品。同时，针对Vera中央处理器，三星还提供了搭载LPDDR5X的SOCAMM 2模块，以及符合PCIe Gen6标准的PM1763存储设备。

针对中长期布局，全永铉透露两家企业已就2027年及以后的HBM4E、HBM5以及晶圆代工业务展开磋商。在内存方面，三星率先在业内完成了首批HBM4E样品的交付，该产品结合了先进的1c DRAM芯片与三星自研的4纳米工艺基础裸晶。在晶圆代工领域，双方正基于4纳米和8纳米工艺节点，为英伟达生产自动驾驶芯片及Groq加速器芯片，且下一代代工项目的谈判也在稳步推进中。

值得注意的是，黄仁勋此前曾公开称SK海力士是英伟达最大的内存供应商，且未来这一地位不会改变，这引发了市场对三星在英伟达供应链中份额的担忧。对此，全永铉回应称，三星将专注于提升自身业务表现，用实际成果说话，并致力于成为英伟达最优质的合作伙伴，全方位支持其业务发展。

业内观察人士指出，尽管与SK海力士和LG电子高调宣布全面合作相比，三星在黄仁勋访韩期间表现得较为低调，但其在新一代高带宽内存和晶圆代工方面的扩张潜力仍备受瞩目。据韩媒《朝鲜日报》报道，得益于2纳米工艺良率的改善及HBM产能的提升，三星的晶圆代工业务有望在2026年第三季度实现盈利。

会晤结束后，全永铉参加了由英伟达举办的“韩国人工智能生态系统”论坛。该活动汇聚了众多人工智能初创企业，以及三星、SK海力士、LG等巨头的高管。黄仁勋在会上表示，此次盛会规模空前，不仅有现代汽车、Naver等大型集团参与，还展现了韩国蓬勃发展的初创企业生态。他强调，此次韩国之行促成了大量商业合作与投资，英伟达计划在当地建设人工智能工厂和研发中心，预计未来五年内将为韩国带来数千亿美元（约人民币20380.16亿元起）的经济收益。

注：按1美元≈6.79人民币计算