三星高管会见黄仁勋,畅谈HBM与芯片代工合作
来源:林慧宇发布时间:2026-06-081003浏览
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据相关消息透露,三星电子器件解决方案事业部负责人全永铉于六月八日在首尔与英伟达首席执行官黄仁勋举行会谈。双方主要围绕第七代与第八代高带宽存储器(HBM4E和HBM5)的后续供应,以及芯片代工领域的合作展开深入交流。
据悉,参与此次会晤的人员还包括英伟达高级副总裁Jeff Fisher、机器人产品营销高级总监Madison Huang,以及三星电子存储器事业部副总裁金在俊等核心高管。
全永铉在会后向媒体表示,双方拥有深厚的合作基础,此次沟通非常顺畅。据他透露,两家企业针对明年的HBM4E、HBM5产品及芯片代工业务进行了广泛的长期合作探讨。同时他强调,近期的首要任务是确保自今年起实现HBM4与SOCAMM产品的稳定供货。
针对芯片代工合作的具体进展,全永铉回应称,目前双方正基于4纳米和8纳米制程共同研发自动驾驶芯片,并且三星正在为英伟达生产Grok 3芯片,下一代产品的合作计划也在同步磋商中。
在产品供应方面,三星电子正为英伟达新一代人工智能加速器提供传输速率达11.7Gbps的第六代HBM4产品,以支持其大规模量产需求。此外,针对相关中央处理器,三星还配套供应了基于LPDDR5X标准的SOCAMM 2模块,以及支持PCIe 6.0接口的PM1763固态硬盘。
据消息人士透露,三星近期已向英伟达交付了全球首批第七代高带宽存储器HBM4E的样品。该产品融合了先进的1c纳米动态随机存取存储器核心芯片与采用4纳米工艺制造的逻辑基础芯片,单引脚传输速率达14Gbps,峰值可达16Gbps,最大带宽高达4TB/s。
此前,黄仁勋曾公开称赞SK海力士是英伟达最重要且未来仍将保持领先地位的存储器合作伙伴。对此,全永铉表示团队将全力以赴,并在未来用实际业绩证明自身实力。在谈及是否会与英伟达签署长期存储器供货协议时,他重申三星将致力于成为最优合作伙伴,全力保障客户的商业成功。
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