据韩媒ET News援引业界消息，三星电子第六代10纳米级（1c）DRAM的良率已突破80%，并在高温测试环境下达到这一高水平。这一进展标志着三星在1c DRAM的量产稳定性上迈出了重要一步。
市场预计，随着技术竞争力和良率的提升，三星的获利结构将得到显著改善。此前，2025年第四季度，1c DRAM的良率还停留在60%至70%区间，如今已成功提升至80%以上。业内人士透露，到2026年5月，三星1c DRAM的良率有望进一步提升至90%。
与此同时，三星基于1c DRAM打造的HBM4良率也显著改善，目前已接近60%，较2025年第四季度的50%有明显提升。据韩媒Chosun Biz报道，NVIDIA为确保稳定供货，曾要求三星进一步提升良率。由于HBM4及第七代HBM（HBM4E）均采用1c DRAM，三星正通过优化DRAM设计等方式加速良率的提升。
在产能布局方面，三星正加速将现有DRAM产线转向1c制程，并以平泽四厂（P4）为核心扩充产能。截至2025年底，三星1c DRAM的月产能约为6万片，预计到2026年下半年将增至20万片。
市场分析认为，三星此举意在通过良率与产能的双重提升，重新夺回DRAM与HBM市场的主导权。目前，SK海力士的HBM4仍基于1b DRAM制造，而美光虽采用相当于1c的1 gamma（γ）制程生产HBM4，但整体产能规模仍落后于三星。
