据韩媒New Daily援引业界消息，三星电子正加速在韩国天安园区建设混合键合（Hybrid Bonding）产线，以应对第六代高带宽存储器（HBM4）及下一代HBM5的高堆叠需求。此举被解读为三星试图提前解决高堆叠转换中可能遇到的“封装瓶颈”问题。
据悉，该产线预计从2026年3月开始逐步导入量产与测试设备，初期主要针对HBM4，未来还将扩展至HBM4E等后续产品线。不过，目前具体的量产时间表和年产能规模尚未明确，初期工作将聚焦于产线测试与验证，量产时程将取决于客户认证及良率稳定化的进展。
值得注意的是，据相关人士透露，三星提前布局混合键合产线，与客户NVIDIA的要求密切相关。三星半导体暨装置解决方案（DS）部门技术长宋在赫此前曾提出HBM4到定制化HBM（cHBM）及zHBM的发展蓝图，并强调混合键合技术在实现这一目标中的重要性。
宋在赫表示，混合键合技术可将热阻降低20%以上，三星已在此基础上开发16层以上的高堆叠HBM。然而，业界认为，研究阶段的改善效果能否在量产中实现，以及高堆叠条件下能否兼顾可靠性、良率和成本，将是验证的关键。
当前，HBM市场竞争主要围绕带宽和速度等性能指标展开，但随着高堆叠需求增加，封装制程的稳定性与出货速度正成为新的竞争变量。业内人士指出，三星在2026年3月设备导入后，混合键合产线的建置进度、客户认证效率以及实际数据表现，将成为决定其竞争力的重要因素。
未来，HBM4之后的竞争将不仅限于性能，交期和稳定性也将成为核心关注点。
