三星一半产线转向第六代HBM4

据韩媒《朝鲜日报》引述业界消息人士透露，三星电子近期对其高带宽内存（HBM）的产能分配进行了大幅调整。数据显示，该厂每月HBM专用DRAM晶圆的总投片量约为15万片，其中一半被划拨给第六代HBM4，另一半则投入12层HBM3E的制造。同时，受限于较低的市场需求，8层HBM3E已停止生产，其释放的产能全部转向HBM4。在应用端，现有的Blackwell AI加速器主要搭载HBM3E，而下一代Rubin加速器则将采用HBM4。据悉，三星电子预计于2026年2月开启HBM4的量产出货进程，并期望通过扩充产能来抢占更多市场份额。

在市场竞争方面，SK海力士在HBM3E领域已率先锁定英伟达的主要供货份额，三星电子则由于产品认证延期而错失大批订单。面对这一局面，三星电子试图通过提升HBM4的产量来改变其在HBM市场的被动地位。反观SK海力士，由于在HBM3E市场已建立起稳固的客户群和供货壁垒，且大概率会成为英伟达HBM4的首选供应商，因此其并不急于大规模量产HBM4。据韩国业界人士透露，英伟达首席执行官黄仁勋在今年6月访韩期间，已公开确认SK海力士的最大供应商身份。这意味着即便SK海力士不急于推进，其HBM4的营收也会随着Rubin加速器的量产而稳步增长。

此外，定制芯片（ASIC）市场的快速扩张也是推动三星电子加码HBM4的重要因素。近期，为了降低对英伟达GPU的依赖，谷歌、亚马逊及微软等头部云计算企业正加快自研AI加速器的步伐，这直接刺激了HBM需求的快速增长。行业分析人士表示，进入HBM4时代后，契合客户设计标准的基础裸片（base die）及先进封装工艺将发挥决定性作用。三星电子兼具存储芯片、晶圆代工和先进封装的综合实力，有望借此契机获得业务增长。