据消息人士透露，英特尔正计划与联电（2303）展开深度合作，将独家应用于下世代埃米级制程与先进封装的关键技术“Super MIM”超级电容授权给联电。这一合作不仅将显著提升联电的技术实力，还可能为双方在AI时代的市场布局奠定基础，成为台美半导体合作的重要里程碑。
联电对此表示，目前与英特尔的合作仍聚焦于12纳米制程平台，旨在持续优化制程竞争力和客户服务。不过，未来不排除进一步拓展合作范围，探索更多元的技术领域。
据悉，联电内部已组建专门团队推进这一合作项目，而英特尔方面则未对此事作出评论。业界分析指出，随着晶体管尺寸不断缩小，芯片在高负载运算时对瞬时电流的需求愈发强烈，传统去耦电容因容量密度不足或漏电流过高等问题，已难以满足埃米级芯片的稳定性需求。
Super MIM技术是英特尔进军埃米级制程的核心武器。该技术通过铁电铪锆氧化物（HZO）、氧化钛（TiO）、钛酸锶（STO）等材料的堆叠，能够在兼容现有后段制程（BEOL）的基础上，大幅提升单位面积电容密度，同时显著降低漏电水平。这一技术可为芯片提供即时的瞬时电流支持，有效抑制电压波动与电源噪声，被视为18A等埃米级制程能否顺利量产的关键。
据透露，英特尔计划优先将Super MIM技术导入与联电现有的12纳米/14纳米制程平台，并逐步扩展至先进封装相关应用。业界认为，若联电成功引入该技术，不仅能优化单一制程，还将获得“先进电力模组”这一跨世代能力，助力其切入AI加速器、高速运算、先进封装电源层等高附加值领域，进一步提升其技术平台与客户结构的竞争力。
