据公开信息与台积电官网数据显示，到2026年初，台积电的SoIC（System on Integrated Chips）技术将展现更多技术亮点。作为台积电3DFabric先进封装平台的重要组成部分，SoIC与InFO和CoWoS技术共同构成了其封装技术的核心。
SoIC技术采用3D垂直整合方式，支持晶圆对晶圆（Wafer-on-Wafer, WoW）和晶粒对晶圆（Chip-on-Wafer, CoW）的堆叠。这种技术能够将不同功能、尺寸和制程节点的小芯片（Chiplets）直接垂直堆叠，实现高度集成的芯片设计。此外，SoIC技术的一大特点是超高互连密度，这得益于其无凸块（bumpless）键合技术，避免了传统微凸块（micro-bumps）的使用，从而显著缩短信号传输距离，提升带宽并降低功耗。
SoIC还具备异质整合能力，其外观与普通系统单芯片（SoC）无异，但内部可嵌入多种异质模块，并与CoWoS或InFO封装技术结合使用。例如，SoIC技术可与CoWoS封装搭配，进一步提升性能。堆叠后的SoIC晶圆仍以“Wafer Form”形式存在，可进行常规封装，因此不会与传统封测代工（OSAT）形成完全竞争关系。
目前，SoIC技术主要应用于AI和HPC领域，但也已逐步渗透到高端电竞PC处理器等市场。
