据韩国媒体ZDNet Korea报道,SK海力士近期对HBM4的生产计划进行了调整。原定于2026年2月量产HBM4、并在明年第二季度扩大产能的计划,已推迟至2026年3~4月量产,而扩产时间则延后至明年第三季度。受此影响,HBM4相关材料和零部件的供应速度也有所放缓。
消息人士透露,SK海力士与英伟达在讨论2026年HBM供货计划时发现,英伟达对HBM3E的采购量显著增加。这一变化反映了两个关键趋势:一是英伟达新一代AI芯片Rubin的发布可能延迟;二是当前市场对HBM3E的需求依然旺盛。SK海力士因此决定优先保障HBM3E的供应,至少在2026年上半年,HBM3E的生产比重仍将占据主导地位。
HBM4的技术难度显著提升,例如其输入/输出(I/O)端口数量增至2,048个,是前代产品的两倍,数据传输通道更加宽广。此外,HBM4的逻辑芯粒将采用台积电的晶圆代工制程,而非传统的DRAM制程。与此同时,台积电的2.5D先进封装技术CoWoS也面临产能瓶颈,这可能是Rubin芯片量产延期的重要原因之一。
SK海力士表示,尽管无法透露具体经营策略,但公司将根据市场需求灵活调整生产计划,以确保供应的稳定性。