据韩国媒体DealSite报道，三星电子正计划调整其DRAM芯片的生产策略，以实现明年利润最大化的目标。具体而言，三星可能大幅削减基于10nm级第四代（1a）制程的HBM3E芯片产能，转而将资源集中于利润率更高的10nm级第五代（1b）制程通用DRAM芯片的生产。
一位熟悉三星内部情况的负责人透露：“我们正在讨论将30%-40%的1a DRAM产能转换为1b DRAM。”他还提到，如果将成熟工艺线（如1z）的转换投资计算在内，三星每月将额外获得8万片晶圆的1b DRAM产能。
目前，三星的HBM3和HBM3E均基于1a nm制程，而1b DRAM主要用于生产DDR5、LPDDR5X和GDDR7等通用DRAM产品。即将量产的HBM4则依赖于1c nm和1b nm制程技术。由于人工智能（AI）需求旺盛，HBM抢占了大量标准DRAM产能，导致1b DRAM产品供不应求，价格持续上涨。
业内人士分析，三星计划削减HBM3E产能的原因在于，DDR5等通用DRAM的营业利润率预计超过60%，远高于HBM3E的30%左右。此外，预计从明年开始，12层HBM3E产品的年均售价将下降30%以上，进一步削弱其盈利能力。
尽管三星今年下半年加入了英伟达的HBM3E供应链，但其供应量有限。英伟达已从SK海力士和美光获得充足供货，并计划从明年开始向HBM4过渡。AMD也计划在明年主要使用HBM4。一位行业人士指出：“三星在英伟达HBM3E供应链中的份额明年可能仅为个位数。”
三星内部人士表示，如果美光科技因重新设计HBM4导致其市场竞争力下降，其他ASIC客户可能会从美光获得更多HBM3E产能，从而缓解三星减产的影响。
与此同时，三星对其下一代产品HBM4的投资策略保持谨慎。公司计划将其1c DRAM生产线的月产能从2万片晶圆提升至8万片，并将现有成熟工艺升级为1c DRAM工艺，目标是在明年年底前将1c DRAM总产能提升至15万片晶圆。不过，也有传闻称三星可能进一步削减投资。
此外，三星近期决定将平泽和华城园区的部分NAND闪存生产线改造为通用DRAM生产线。这一战略性调整旨在利用通用DRAM价格持续上涨的优势，以应对NAND Flash市场增长放缓的局面。
