据韩媒Ddaily援引业界消息，三星电子计划于2025年内重启其平泽厂区四期产线（Phase 4，简称Ph4）的投资，并将该产线从原定的晶圆代工用途调整为1c DRAM产线。预计月产能将达到8万片，以满足市场对高性能存储器的需求。
Ph4曾在2024年中断工程，但在2025年第3季重启投资，并于近期开始导入设备。此次调整的原因在于DRAM需求的高度集中，三星决定在Ph4导入第六代10纳米级（1c）DRAM制程。据最新消息，三星正与NVIDIA协调1c DRAM的供应时程，以确保未来能够稳定供货给全球AI服务器厂商。
与此同时，平泽厂区二期产线（Phase 2，简称Ph2）的投资计划也有所调整。原本预计2025年启动的Ph2投资将推迟至2026年中，目前正朝晶圆代工专用产线的方向进行研议。三星晶圆代工事业部已确保以2纳米制程生产自家移动应用处理器（AP）Exynos 2600，并计划以4纳米制程承接韩国以外IC设计公司的AI芯片订单。
平泽四厂是三星在韩国平泽建设的第四座大规模半导体厂，共分为四个阶段。目前，一期产线（Phase 1）为NAND Flash与DRAM的复合厂房，三期产线（Phase 3）已进入收尾阶段。此前，由于晶圆代工订单不足及高带宽存储器（HBM）竞争力下降，三星推迟了Ph2和Ph4的建设计划。但随着2024年底HBM与DRAM业务竞争力的提升，以及AI基础设施需求的扩大，平泽厂重新恢复了投资动能。
业界相关人士指出，平泽四厂因DRAM需求增长而加速投资，而三星位于美国的泰勒厂则按原计划推进投资。
