三星兴建平泽EUV产线的战略含意

三星电子(Samsung Electronics)稍早宣布将于南韩平泽园区，兴建极紫外光(EUV)晶圆代工产线，未来将生产5奈米以下产品。其实日前三星副会长李在镕甫结束中国大陆西安厂的视察行程，加上台积电宣布美国兴建5奈米厂，时机点颇为巧合，令人好奇三星半导体整体战略布局是否可能出现修正。

据朝鲜日报等消息，三星宣布2020年5月底之前，平泽EUV晶圆代工产线就会动工，预计2021年下半起稼动。业界认为目前三星晶圆代工的最大竞争对手台积电，正因美国投资一事陷入纷扰，此时三星宣布投资平泽晶圆代工产线，颇有趁乱追赶台积电的意图。

南韩业界多认为，三星宣布平泽晶圆代工产线投资，为2019年公布的系统半导体2030愿景投资计画的一环，当时三星联手南韩政府，扶植南韩系统半导体产业，总投资金额超过1,000亿美元。此次三星尚未公布平泽EUV晶圆代工产线的投资金额，但业界粗估投资金额应在70亿~80亿美元。

三星平泽园区目前有两座工厂，2017年第一工厂(P1)稼动，主要生产3D NAND Flash及DRAM。三星原计划平泽二厂，将于2020年下半生产采用EUV设备制程的次世代DRAM。

事实上，三星原本视平泽园区为记忆体专用生产基地，但此次三星却宣布，将在平泽园区兴建EUV晶圆代工产线，多少让业界感到意外。三星相关人士表示，平泽二厂未来将同时具有采EUV设备制程的DRAM及晶圆代工产线。

2019年三星华城7奈米EUV晶圆代工产线S3投产，成为业界首度采用EUV设备制程的晶圆代工产线。紧接着2020年2月，又宣布华城V1产线稼动，EUV晶圆代工生产规模持续扩大。2019年下半宣布6奈米制程量产，预计2020年下半量产5奈米制程产品，未来平泽新产线稼动后，主要也将投入5奈米以下制程量产，持续追赶台积电的意图相当明确。

目前全球晶圆代工，仅台积电、三星进入7奈米以下制程。据市调机构最新资料，2020年第1季台积电仍以54.1%市占率遥遥领先三星的15.9%市占率。稍早台积电才宣布投资120亿美元，于美国兴建5奈米晶圆代工厂。

南韩业界部分人士认为，由于NAND市场竞争日益激烈，三星可能决定强化南韩的晶圆代工与DRAM生产，将获利能力较不好的NAND生产重心移至中国。由于最近台积电身陷中美贸易战纷扰，三星也有可能特意选在此时扩大投资。