韩国半导体巨头SK海力士成功在与英伟达的第六代高带宽内存（HBM4）供应谈判中占据主导地位，单颗报价约为560美元，较前一代产品提价超过50%。这一价格调整不仅巩固了其在高端存储市场的地位，还为其明年营业利润突破70万亿韩元奠定了基础。
据业内人士透露，HBM4的技术升级显著推高了制造成本。该产品拥有2048个数据传输通道，是前一代HBM3E的两倍。此外，连接图形处理器（GPU）与HBM的基础芯片新增了计算效率和能源管理等逻辑工艺，SK海力士因此首次将基础芯片外包给台积电生产。考虑到技术进步带来的成本增加，SK海力士提出的每颗HBM4价格为500多美元，较前一代产品提价逾50%。尽管英伟达最初对涨价表现出保留态度，但最终接受了这一提议。
完成价格谈判后，SK海力士向机构投资者透露，明年的营业利润率将继续维持高位。公司已确认符合英伟达规格的产品价格和供应量，即使三星和美光进入HBM4市场，也不会对其业绩产生负面影响。业界估算，SK海力士的HBM4毛利率约为60%。若维持当前水平，HBM业务明年销售额预计将达到40万亿至42万亿韩元，营业利润约25万亿韩元。
此外，全球AI基础设施投资热潮也带动了通用型DRAM价格的上涨。根据最新数据，DDR4固定交易价格已突破7美元，创近七年新高。由于主要存储芯片企业集中扩充HBM产线，导致通用型DRAM供应紧张，进一步推高了市场价格。分析显示，随着DRAM价格上涨，SK海力士明年通用型DRAM的营业利润率也可能接近50%至60%。
综合HBM4的高利润率和通用型DRAM价格上涨的因素，市场预测SK海力士明年营业利润有望超过70万亿韩元。这一预期基于公司已确保HBM4的盈利能力，并通过“绑定产品节点+绑定产能”的方式，巩固了2025年及以后的需求能见度。
