据韩媒Chosun Biz、G-enews等媒体援引产业链消息，三星电子（Samsung Electronics）晶圆代工部门在第六代高带宽存储器（HBM4）逻辑裸晶的生产上取得关键进展，其4纳米制程的良率已成功突破90%。
在HBM4逻辑裸晶制造领域，三星采用自研4纳米先进制程；对比来看，竞争对手SK海力士（SK Hynix）的HBM4逻辑裸晶依赖台积电12纳米级制程，美光（Micron）则采用自家12纳米级DRAM制程。相较这两家的12纳米级方案，三星的技术在精细制造能力上具有显著优势，可实现超过3倍以上的工艺精度。
与此同时，HBM4量产的另一核心环节 ——1c DRAM良率也传来利好。据韩国ET News采访多位业内消息人士透露，三星已大幅改善1c DRAM的生产良率，当前数值已逼近80%的目标值。
HBM4的完整量产体系需同时满足“逻辑裸晶”与“1c DRAM”两大核心组件的良率稳定，二者任一环节掉链都将直接影响整体产能释放，而三星当前双环节良率的同步提升，意味着其HBM4量产准备已进入收尾阶段。
从技术路线选择来看，三星押注更先进的1c DRAM技术：相较于1b技术，1c DRAM在存储密度、能效比上更具优势，可进一步提升HBM4的性能上限，这一差异化策略被视作三星争夺HBM高端市场份额的核心筹码。
为响应英伟达、超微（AMD）等客户需求，三星正从“产能供给”与“产线建设”两端同步发力。三星存储器事业部正全力推进HBM4的量产筹备，同时晶圆代工部门将4纳米逻辑裸晶的投片量提升至其4纳米产线总产能的约50%，以确保核心组件的供应稳定性。另一方面，三星正加速1c DRAM的产线落地，已启动半导体设备向平泽四厂（P4）的运输与安装，据产业链消息，该产线建构已进入最后阶段，为HBM4量产提供产能支撑。
据悉，三星HBM4在样品阶段的整体良率已达50%，现阶段正与核心客户英伟达开展品质验证测试。外界普遍预计，若验证顺利通过，三星将立即启动HBM4的量产工作，最快有望在2025年11月获得量产批准。
"添加小助手申请进群"
（icspec—规格书查询、免费发ic供应/采购）
