存储器大厂角逐HBM4市场，定制化与DRAM技术成关键

美光在AI时代加速赶超，计划在美国、马来西亚建新产线，目标2025年HBM市占率达20%。同时，获美商务部61.65亿美元芯片补助。

SK海力士、三星亦积极布局HBM4，与台积电合作开发先进制程base die。

定制化HBM成为AI芯片设计新趋势，三大存储器原厂不仅争取客户认证，还结盟强伙伴提供整体解决方案。

HBM4将DRAM改为3D封装logic base die，允许客户加入自有IP，实现定制化。SK海力士、美光已与台积电合作，三星则传闻采用自家晶圆代工制造HBM4 base die。

美光或将在HBM4中率先采用无助焊剂键合技术，提升堆叠层数，预计2026年贡献营收。三星则选用第六代10纳米级1c DRAM制程，确保良率。SK海力士和美光采用第五代10纳米级1b制程DRAM。

在HBM3E方面，SK海力士与美光领先，美光12层HBM3E已量产，SK海力士宣布16层48GB HBM3E将于2025年上半年送样，加速16层HBM4量产进程。美光2025财年Q1 HBM营收季增超1倍，预计全年营收达50亿美元。