160亿，湖南三安SiC项目预计Q3全面投产

近日，湖南三安半导体董事长林志东作为中国半导体企业的杰出代表，受邀出席了中法企业家委员会第六次会议，为中法两国在半导体领域的交流与合作贡献了自己的力量。

作为湖南湘江新区的明星企业，湖南三安半导体自2020年落户长沙以来，仅用一年时间就实现了点火试产，展现出了惊人的发展速度。目前，公司一期项目已全线投产，SiC年产能达到25万片（6英寸），二期项目也在紧锣密鼓地建设中，预计今年三季度将全面投产8英寸生产设备和工艺，届时整个项目将实现总计年产48万片的规模。

湖南三安半导体的SiC全产业链整合研发与制造项目总投资高达160亿元，规划用地面积约1000亩。该项目旨在打造具有自主知识产权的第三代半导体全产业链生产与研发基地，涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等多个环节。

在产品方面，湖南三安的SiC系列产品凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，已经赢得了市场的广泛认可。

在合作方面，湖南三安与维谛技术于今年3月28日宣布达成战略合作伙伴关系。双方将共同推动数据中心、通信网络等领域的创新与发展，为湖南三安的SiC业务向数据中心、通信等领域的加速渗透奠定了坚实的基础。