据供应链消息，近期DRAM现货价格持续上行，市场普遍预期2026年下半年合约价维持上涨趋势。业内预估，第三季度DRAM整体合约价环比有望上涨约30%，不过最终成交价格尚未敲定。
本轮议价过程中，三星电子率先抛出报价，随后美光、SK海力士开出更高价格，倒逼三星重新调整报价策略。价格分歧引发部分下游客户抵触，致使Q3 DRAM合约谈判陷入僵持。
业界人士分析，上游原厂并不担忧终端需求走弱，这场价格博弈或将延续至9月；客户若推迟至9月再启动采购，或将面对更高报价。虽然下半年涨价幅度大概率逐步收窄，但第四季度依旧有望实现两位数环比涨幅，存储市场卖方格局不变。当前DRAM供给紧张，议价空间有限。其中服务器端DDR5需求尤为旺盛，原厂盈利显著改善，大量产能已被云服务商提前锁定。相较之下，NAND Flash议价弹性更高。
现货市场层面，英特尔计划重启支持DDR4的老款处理器供货，推动DDR4 8Gb现货价格走高。数据显示，7月DDR4 8Gb价格大涨16.66%，均价42美元（约284.49元人民币），涨幅领跑各类DDR产品；DDR4 16Gb价格85美元（约575.76元人民币），单月涨幅约15%。DDR5 16Gb截至7月底累计涨幅接近8.8%。受DDR4涨价传导，部分消费、工控终端转向采用DDR3，带动DDR3单月涨幅约14%。
根据CFM闪存市场调研，现阶段代理市场采购情绪偏谨慎，代理商寄望8月开学季带动出货回暖。存储器涨价抬升整机、笔记本成本，终端售价同步走高，但部分渠道客户三季度仍存在刚性补库需求。
LPDDR方面，近期多家原厂上调报价约10%，近一个多月原厂LPDDR均价普遍达1.7美元/Gb（约11.52元人民币/Gb），国际原厂报价逼近2美元/Gb（约13.55元人民币/Gb）。但目前LPDDR4X/LPDDR5X终端成品售价集中在1.7~2.0美元/Gb（约11.52~13.55元人民币/Gb），部分产品售价已低于原材料采购成本。低端终端产品流通占比偏高，后续成品提价阻力较大，供应链成本压力持续加剧。
NAND Flash晶圆市场分化明显：老旧制程SLC、MLC需求火热，海外原厂持续控量推升报价；主流原厂极少向现货市场投放货源，但部分中小贸易商为加速资金周转低价抛售，造成TLC现货价格震荡。
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