OKI与信越化学携手突破：成功研发垂直导电GaN器件

日本冲电气工业株式会社（OKI）宣布与信越化学合作，成功研发一项革新性技术。该技术采用OKI的CFB（晶体薄膜键合）技术，能够从信越化学特殊改进的QST（Qromis衬底技术）基板上仅剥离氮化镓（GaN）功能层，并将其粘合到不同材料的基材上。

通过这一技术，实现了GaN的垂直导电，为制造可控制大电流的垂直GaN功率器件打开了新的可能。OKI和信越化学将共同致力于进一步研发这一技术，与制造这些器件的公司合作，以将其应用于实际生产和生活中。

GaN功率器件因其高频率和低功耗特性而备受瞩目，尤其在高击穿电压功率器件、Beyond5G的高频器件以及高亮度Micro-LED显示器等领域表现出色。

不可忽视的是，垂直GaN功率器件有望通过延长电动汽车续航里程和缩短充电时间来提升电动汽车性能。然而，目前该技术在大规模应用中受到两方面限制：受制于晶圆直径的生产率以及在大电流下无法实现垂直导电。

面对这些挑战，OKI和信越化学联手提出解决方案。信越化学的QST基板与GaN具有相近的热膨胀系数，有效抑制翘曲和裂纹，克服了大尺寸晶圆的制约。同时，OKI的CFB技术能够从QST衬底上仅剥离GaN功能层，保持高器件性能，实现高散热性和垂直导电性。

OKI和信越化学的联合技术成功克服了上述两大挑战，为垂直GaN功率器件的社会化应用铺平了道路。