三菱化学携手日本制钢所，大幅扩充GaN基板产能

为了满足电动汽车高速充电器、逆变器以及数据中心电源等领域日益增长的需求，三菱化学集团正联合日本制钢所，积极扩大氮化镓（GaN）半导体基板的生产规模。双方预计到2027年，该产品的年产能将实现50%的增长。

据日经新闻报道，这款GaN基板由上述两家企业共同研发。按照规划，到2026年4月，GaN基板及其籽晶的产能将达到2021财年（2021年4月至2022年3月）水平的两倍，并计划在2027年4月进一步攀升至三倍。由于目前采用4英寸GaN基板进行的客户评估收到了大量询价，促使双方做出了进一步扩产的决定。

在具体实施方面，日本制钢所将在其位于北海道室兰市的工厂内增设GaN基板与籽晶的制造设备。同时，三菱化学也会对其茨城县工厂进行升级，重点强化GaN基板的切片加工机等配套设施。

此外，两家企业预计未来基板的尺寸将不断增大。他们设定了在2026财年内推出6英寸样品的目标，并计划于2028财年开始供应8英寸样品。