创意5奈米HBM3 IP已通过8.4 Gbps矽验证

中国台湾创意电子采用台积电5奈米技术的HBM3 IP已通过矽验证，并已推出采用3奈米技术的HBM3 IP。
ASIC厂商创意电子(GUC)日前宣布，该公司采用台积电5奈米制程技术的HBM3 IP解决方案已通过8.4 Gbps矽验证。此方案采用台积电领先业界的CoWoS技术，以结合功能完善的HBM3控制器、实体层IP，以及厂商HBM3记忆体。该平台已于 2023年台积电北美技术论坛的合作伙伴展示区内公开展示。
自2020年起，许多客户皆采用创意电子旗下的HBM控制器和实体层IP来进行 HPC ASIC生产。而HBM记忆体厂商正持续将传输率和记忆体大小从HBM3提升至HBM3E/P，并在HBM4进一步加宽讯号汇流排宽度。然而，在基本DRAM时序参数未改变的情况下，HBM控制器亦需不断强化以提高汇流排利用率。创意电子的HBM3控制器可在随机存取时，实现超过90%的汇流排利用率并保有低延迟性。
创意电子采用台积电5奈米技术的HBM3 IP已通过矽验证，并已推出采用3奈米技术的HBM3 IP。此IP支援台积电的CoWoS-S和CoWoS-R，并可达到目前尚在规划中的下一代HBM3E/P 记忆体的速度。