日本Dry Chemicals采用新工艺将SiC晶圆制造成本降低30%

9月11日消息，据日刊工业新闻报道，近期，日本Dry Chemicals开发出一种新的工艺，能够将功率半导体材料碳化硅(SiC)晶圆的制造成本降低20-30%。

该新工艺的要点是在晶锭上进行开槽，使晶圆切片更加平整，从而减少晶圆表面研磨、抛光等后处理所需的步骤，只需要在切割后立即进行镜面研磨、化学机械抛光（CMP）、清洁和检查即可获得成品。

据悉，Dry Chemicals将于10月份开始晶圆代加工，并且对外销售制造设备，预计第一年销售5-10台。