铠侠凭晶圆键合技术逆袭，市值狂飙跃居日本第三

据日经新闻报道，在人工智能浪潮的推动下，日本存储芯片巨头铠侠的市值在过去一年里增长了三十多倍。目前其市值保持在39万亿至40万亿日元（约人民币16561.99亿至16986.65亿元），折合约2509亿美元（约人民币17013.17亿元）之间，成为日本市值第三高的公司，排在软银集团和丰田汽车之后。这一显著增长主要得益于数据中心对NAND闪存需求的激增，以及该公司在晶圆键合技术上的商业化领先优势，使其在与三星电子和SK海力士等韩国企业的竞争中占据主动。

在NAND闪存的技术演进中，通过垂直堆叠存储单元来增加容量是核心路径。铠侠的前身东芝曾在2007年率先研发出该技术。然而，当铠侠在2023年春季推出218层产品时，SK海力士随即在同年夏天公布了超300层产品的研发计划，使得铠侠的主力产品层数暂时处于追赶状态。面对这一技术瓶颈，铠侠将晶圆键合技术作为破局的关键。

传统的NAND闪存通常将存储单元和控制电路集成在同一块硅片上。而铠侠在2023年推出的CBA（CMOS直接键合到阵列）技术，则是在不同的晶圆上分别制造控制电路和存储单元阵列，然后再将这两片晶圆进行高精度键合。据透露，这种工艺能够更高效地布局存储单元，大幅提高存储密度。由于技术门槛极高，铠侠率先实现了该工艺的商用化，使其产品的读写速度比竞品高出20%到30%。

尽管早期业内认为CBA技术门槛过高，但随着AI服务器的大规模部署，对数据处理速度的要求不断提升，该技术迎来了广阔的市场空间，现已全面应用于铠侠的核心产品线。此外，韩国竞争对手在AI发展初期将大量资金投入到DRAM领域，导致NAND研发进度放缓，这为专注NAND的铠侠赢得了技术领先的时间窗口。虽然目前铠侠的市场份额仍不及三星和SK海力士，但CBA技术的强劲需求已大幅推高了其企业估值。

在产能与未来规划方面，铠侠社长太田裕雄指出，公司当前最先进的NAND闪存为第八代产品。在扩充三重县四日市工厂产能的基础上，公司将加大对岩手县北上工厂的投资力度。未来，北上工厂不仅生产第八代产品，还将同步量产第十代NAND闪存。为抓住AI带来的市场机遇，铠侠计划在2026财年（2026年4月至2027年3月）投入超4500亿日元（约人民币191.10亿元），折合约28亿美元（约人民币189.86亿元）用于设备采购与升级。据悉，该公司目前已获得日本政府约2500亿日元（约人民币106.17亿元）的资金补贴。

注：按1日元≈0.0425人民币，1美元≈6.7809人民币计算。