DRAM复苏讯号浮现！外资估带动 Q3 半导体出口季增逾 10%

据台媒报道，8 月半导体出口达 85.6 亿美元，年减 21%、月增 21%，目前跌幅已逐渐放缓，第三季开始呈现复苏态势。日系外资今（4 日）出具最新报告指出，由于 DRAM 价格和出口量成长，预期第三季半导体出口将季增逾 10%。



继第二季出货量强劲成长后，第三季主要记忆体价格已趋稳定或上升，价格较高的 HBM、DDR5 和 LPDDR5X 组合增加，平均售价（ASP）可能会成长 5-10%；需求疲软的 DDR4 和 NAND 领域，第四季可能扩大减产，年底库存有机会降至正常水准。

日系外资认为，在价格持续回升推动下，预期 10 月半导体出口的年成长幅度将转正。

产品需求部分，高阶智慧手机的记忆体需求出现季节性复苏，带动 PC 也开始恢复；AI 伺服器记忆体（HBM、DDR5 128GB 模组、LPDDR5X）需求强劲且快速成长，普通伺服器记忆体较疲软。日系外资指出，由于价格下滑，高阶智慧手机市场的 NAND 记忆体需求增加，但 PC 和企业伺服器的 SSD 需求仍疲。

再来是市场关注的 HBM 需求，目前第三季 DRAM 需求大都来自辉达，其他厂商可能第四季后开始需求回升。日系外资指出，和代工厂 CoWos 产能一样，记忆体厂也希望明年第二季前将 HBM 产能提高一倍，同时考虑明下半年后扩产。

整体来看，记忆体业的传统产品需求仍疲，但 AI 伺服器记忆体的需求激增和整个产业的积极减产，记忆体市场可能出现库存减少和价格上涨，仍看好三星和 SK 海力士股价表现。