纳芯微：逆势外延并购 加码汽车、泛能源类芯片战略布局

受宏观经济下行、终端消费市场需求疲软以及库存过剩等因素影响，全球半导体产业销售额维持在低位。据悉，上半年全球半导体产业销售额为2,453.4亿美元，同比下降19.4%；国内集成电路进口2,277亿个，同比下降18.5%。

在此背景下，半导体行业步入调整期。2023年8月24日，国产芯片领跑者纳芯微（688052.SH）公布了半年度报告，公司实现营业收入7.24亿元，同比下降8.80%，收入波动大幅小于行业整体收缩幅度，表现出较强的经营韧性。净利润方面，公司实现归属于上市公司股东的净利润-1.32亿元，归母扣非净利润-1.78亿元。究其原因，一方面是经营因素，因供需与产品结构变化，公司毛利率下降至42.83%，另一方面是非经营因素，报告期内摊销的股票激励费用1.9亿元，若剔除股份支付费用的影响，则归母净利润为6,123万元。值得一提的是，公司在报告期内研发费用同比增加了2.3亿元，逆势下加码创新投入，为长期发展持续注入新动能。

芯片需求结构性分化 公司传感器产品同比增长131.74%

纳芯微业务涵盖高性能高可靠性模拟与混合信号两类芯片，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。围绕下游应用场景，公司聚焦传感器、信号链和电源管理三大产品方向，拥有1,700余款产品型号，被广泛应用于汽车、泛能源及消费电子领域，其中泛能源领域是围绕能源系统的工业类应用，从发电端、到输电、配电、用电端的各个领域，包括光伏储能、模块电源、工控、电力电子、白电等。

虽然今年全球半导体产业需求萎缩，但从终端应用来看，并非所有半导体需求都持续低迷，与电动汽车、可再生能源相关的需求保持强劲，需求急剧攀升的生成式AI也推升部分逻辑芯片需求。例如，上半年国内新能源汽车产销量同比分别增长42.4%和44.1%，电动化、网联化、智能化的汽车销量的增长将继续对汽车电子芯片形成较大拉动。而在光伏等新能源市场，上半年国内光伏装机同比增长154%；截至6月底，国内新投运新型储能装机规模约8.63GW /17.72GWh，相当于此前历年累计装机规模总和。新能源与储能应用的扩容将提升对泛能源类芯片的需求。

对纳芯微收入进行拆解则可以看到，从下游应用的收入结构来看，公司在泛能源领域收入占比为63.68%，汽车电子领域收入占比为26.28%，消费电子领域收入占比为10.04%。正因如此，报告期内，公司电源管理产品同比仅下降0.79%，而传感器产品同比大幅增长131.74%。

逆势外延并购 提升汽车、泛能源产品竞争力

半导体行业进入下行周期，市场竞争加剧，给国内模拟芯片公司带来了更多行业并购整合的机会。由于模拟芯片产品品类繁多，下游应用领域广泛，有相对较高的设计难度及相对较长的研发与验证周期，外延并购可以为模拟芯片厂商快速积累核心技术、提升竞争力并扩大市场份额。

今年7月，纳芯微以现金方式收购昆腾微电子股份有限公司67.60%的股权，本次收购有助于公司进一步完善公司的技术IP组合，扩充产品料号，完善产品解决方案，拓宽公司战略布局的维度，提升在汽车、泛能源等领域围绕客户需求开发更多品类、满足客户更多需求的能力。

研发费用增长219.11% 多领域持续推出新品

创新是科创企业的第一生产力，纳芯微深谙此道。报告期内，公司研发费用3.25亿元，同期增长219.11%。公司以信号链技术为基础，在模拟及混合信号领域开展了自主研发工作，并在传感器、信号链、电源与驱动、第三代功率半导体五大领域形成了多项核心技术。上半年，公司新申请境内知识产权22件，其中发明专利18件，新申请境外知识产权2件。

在磁传感器方面，公司推出了符合汽车电子应用的磁线性电流传感器，广泛应用于汽车主驱电机电流检测场景。在温湿度传感器方面，已实现单片集成数字输出高精度温湿度传感器稳定量产，此产品广泛应用于工业暖通系统、车载座舱除雾等应用场景中。

在信号调理芯片方面，公司硅麦ASIC 新品实现量产，并广泛应用于高端智能手机领域，在功耗、电源抑制、抗射频能力方面达到业内先进水平。在隔离器方面，公司推出了隔离式比较器、集成LVDS接口的隔离 ADC 等产品，为工业客户提供提升系统的集成度和可靠性的差异化产品。在通用接口方面，公司量产了车规级CAN FD接口芯片、车规级LIN接口芯片、车规级PWM Buffer芯片、车规级I?C I/O扩展芯片等，进一步完善了接口类产品的布局。

在电源管理产品方面，公司集成多种保护功能的智能隔离驱动产品赢得了众多新能源主驱、光伏、大功率变频器客户认可并大规模出货。在电机驱动方面，直流有刷电机驱动、继电器/螺线管产品系列大规模发货，并获得多家主机厂以及Tier-1定点。在供电电源方向，公司完成了应用于贯穿尾灯的LED驱动产品的量产。

此外，公司围绕新能源汽车、光伏、储能、充电桩、消费领域快充等下游应用，积极布局第三代功率半导体器件，如 SiC 二极管、SiC MOSFET等器件，报告期内推出了适配GaN的驱动芯片及power stage集成产品，同步也推出了首款SiC二极管系列新品并全面送样。

来源：证券市场周刊