恩智浦启用美国境内最先进6英寸射频氮化镓晶圆厂

据台媒自由时报报道，恩智浦半导体（NXP）宣布正式启用位于美国亚利桑那州钱德勒（Chandler）的6英寸射频氮化镓（GaN）晶圆厂，这是美国境内专注于5G射频功率放大器的最先进晶圆厂。
 

恩智浦表示，这座全新氮化镓晶圆厂已通过认证，首批产品将持续推出上市，预计2020年底将达到产能满载。
 

恩智浦指出，此全新工厂结合恩智浦射频功率领导者的专业与大规模量产技术，代表实现创新，有助支持5G基站与先进通信基础设施在工业、航空航天和国防市场的扩展。
 

恩智浦半导体总裁兼首席执行官Kurt Sievers在演讲中表示，今日象征着恩智浦的重要里程碑。通过在亚利桑那州建立此先进厂房与吸引关键人才，让恩智浦能够更聚焦于发展氮化镓技术，将其作为推动下一代5G基站基础建设的一部分。

 

随着5G的发展，射频解决方案中每个天线所需的功率密度呈指数级增长，但仍需保持相同的机箱尺寸，并降低功耗。氮化镓功率晶体管已成为满足这些严格要求的新黄金标准，能够大幅提高功率密度和效率。
 

同时，恩智浦半导体执行副总裁兼无线电功率业务部总经理Paul Hart表示，恩智浦团队向来致力于建造世界上最先进的射频氮化镓晶圆厂，该晶圆厂的能力可扩展至6G甚至更高。