超40亿元！SiC领域又有4起合作

近日，国内外碳化硅设备领域新增了4个动态，涉及订单合作、新品交付等：

连城数控、中宜创芯

就碳化硅炉达成合作

8月11日，连城数控宣布，旗下子公司连科半导体成功与河南中宜创芯签署战略合作协议。

连科半导体与河南中宜创芯签署战略合作协议

据悉，中宜创芯已将连科半导体列为战略供应商，未来将根据项目规划向连科半导体大批量采购碳化硅炉等相关设备。

连科半导体成立于2023年6月，属连城数控全资子公司。前几日，连科半导体亮相无锡半导体展，并在会上展示了碳化硅感应生长炉、合成炉、电阻炉等设备。

近日，据外媒报道，三星电子、DB Hitek（东部高科）和Key Foundry（启方半导体）将从爱思强采购金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，以进军GaN和SiC芯片制造服务市场。

据称，爱思强CEOFelix Grawert于今年7月中旬低调访问韩国，并与三大代工厂举行会议，讨论设备供应协议相关事宜，三者就进军GaN和SiC代工市场达成共识。

三星、DB Hitek和Key Foundry预计在2025年至2026年将8英寸GaN代工服务商业化。他们目前正处于研究和样品生产阶段，未来的量产需进行大量的设备投资。

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8月14日，据外媒报道，Axcelis已向Wolfspeed运送交付了Purion H200 SiC离子注入系统，该系统将用于支持车规SiC功率器件的生产。

据悉，Wolfspeed 目前正在进行 6 亿美元（约43.6亿人民币）的SiC产能扩张，以大幅提高产量，这包括北卡罗来纳州达勒姆工厂、纽约莫霍克工厂的扩产。

Wolfspeed全球晶圆厂运营高级副总裁Missy Stigall表示，电动汽车日益普及，Wolfspeed正致力于扩大产能，以满足对我们碳化硅器件激增的需求。我们之所以与Axcelis合作，是因为他们的专业技术、高度差异化的特性以及对功率器件应用至关重要的工艺控制能力。

8月5日，中科慧远官微宣布，他们自主研制的首台SiC缺陷检测设备顺利发往行业头部客户现场。

据介绍，中科慧远碳化硅缺陷检测系列产品（CSU100，CSU200，CSU030系列），可以适用于碳化硅衬底及外延产品的过程检、出货检等需求。

本次出货的CSU030设备结合了先进的光学成像技术、图像处理算法和人工智能分析技术，通过超微成像系统，具备明场、暗场成像方式，采用亚微米级的分辨率，能够高效准确地检测SiC材料中的各类缺陷，包括裂纹、划伤、脏污、凹坑、微管、包裹、位错及层错等。

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