DRAM虽落底、NAND仍阴霾 存储器3Q23无力回天

存储器产业从需求急冻导致供过于求的低潮已长达约1年多时间，业界统计，DRAM累计价格超过50%、NAND Flash跌幅高达60%，价格跌跌不休导致各大存储器厂陷入亏损，第3季起市场价格几无大跌空间，已成为业界共识，但价格回温的时间却仍有不同看法，主要将取决于终端应用市场需求的复苏力道。

由于服务器、智能手机拉货疲弱，PC应用虽有急单复苏，但客户拉货意愿保守，存储器需求第3季估将处于温和成长，难以带动大幅反弹动能。

随着存储器大厂面临库存压力高升，原本坚持不松口减产的三星电子也不得不启动减产，尽管上游供给减少对于整体产出实质效益仍需要一段时间，但各家原厂受到巨大亏损压力下，相继表态将不愿继续降价，反映在现货市场出现部分DDR和NAND flash Wafer价格止跌回稳，整体价格跌幅趋缓，现货市场呈现落底。

威刚董事长陈立白表示，第2季存储器需求比第1季略好，有些库存相对较低的客户已开始下单，随着DRAM大厂展开减产、降低资本支出效益显现，4~5月现货价未再继续探底，看好第2季现货价落底后，第3季可望率先反弹，合约价则估第3季触底。

由于看好现货市场在6月进入底部，威刚从5月陆续回补库存，截至5月底DRAM库存超过12周，NAND则约6~8周，DRAM与NAND存货比重约为2：1，预估合约价第3季合约价将随着现货价脚步进行反映，与现货价的价差逐渐缩小，预估第3季将触底，第4季合约价将可望调涨，整体DRAM市况可望由谷底回升。

不过NAND产业供货情况较DRAM复杂，整体供应链的库存水位都偏高，上游原厂亏损情况严重，但NAND跌幅已经收敛，预估现货价第3季可望落底，第4季或有机会反弹，下半年市况可望好转。

宇瞻总经理张家騉也认为，市场价格最低点已在第2季出现，但整体价格带还在狭幅震荡阶段，由于终端需求仍浑沌，现货价反弹时间尚未明朗，短期内将处于区间调整，而DRAM复苏将比NAND Flash较早发生，但无论是Flash或DRAM价格均已达历史低点，上游原厂几乎跌无可跌，预计第3季需求逐渐回温，且价格落底后，业界开始启动谷底采购的动能。

十铨则认为，DDR4现货价已进入底部调整，但受到市场库存太多，仍有小幅跌价趋势，整体DRAM市场将处于价格微跌打底阶段；而Flash价格尚未到底部，落底时间将比DRAM延后约1个季度。

NAND主控芯片厂群联CEO潘健成认为，受全球大环境经济不佳影响，终端客户与消费者缩减支出，导致全球客户对未来前景需求采取较保守态度，不敢积极备料或是大幅升级产品规格，让原本预估应为传统旺季的第3季，仍需观察系统客户备料的需求状况。

潘健成强调，由于上游NAND供应商处于巨额亏损，未来再降价空间非常有限，唯一变量仍在市场需求方面的动能，故对于第3季的成长力道仍需再观察，而第4季情况依然混沌不明。

从整体终端需求来看，存储器业界认为，智能手机、服务器、PC主要客户库存已经下降至健康水位，但服务器市场成长动能趋缓，需求不如以往预期乐观，PC应用陆续出现急单，市场调整速度优于预期，但手机市场恐难有起色。整体来看，虽然上游原厂库存水位仍高，但下半年存储器市况可望逐季回暖，但无法乐观期待出现大幅跳增。