据集邦咨询最新研究显示，到2027年，人工智能应用仍将是推动存储器需求的核心动力。其中，NAND Flash由于新产能的集中释放以及终端消费市场需求疲软，预计在2027年下半年市场供应将趋于宽松，产品价格可能面临下调压力。
相比之下，DRAM市场将维持供应紧张的局面，价格走势相对强劲。这主要得益于AI服务器需求的持续增长，以及高带宽内存（HBM）对常规产能的挤占。虽然各大DRAM制造商已提前启动扩产计划以应对AI基础设施建设的中长期需求，并在短期内通过提升现有工厂产能和加快工艺升级来保障2026年的存储容量供给，但2027年的新增产能受限于建厂周期、设备导入和原材料准备等前置条件，大多要到下半年才能投产，实际产出贡献需等到2028年才能显现。
此外，由于HBM的生产工艺需要消耗更多的晶圆，新增的投片量无法按同等比例转化为有效的存储容量，这进一步限制了2027年DRAM整体产能的增长幅度。集邦咨询指出，2026年DRAM的供需缺口预计在-1%至-2%之间，而2027年随着需求增速超过供给增长，这一缺口将进一步扩大。同时，2026年主要云服务提供商的资本支出保持在历史高位，若2027年存储器价格继续高企，其在整体资本支出中的比重还将上升。
在NAND Flash方面，2026年原厂主要依靠工艺升级来提升产能，并不断增加企业级SSD的供应比例，以规避消费端需求低迷带来的盈利风险。到了2027年，随着各厂商加速向更高层数产品迭代以及新工厂产能的逐步释放，其存储容量的增长幅度将超过2026年，市场整体产出规模将迎来显著扩张。
