长电成立工业与智能应用部 锁定国内AI芯片封测

中美竞争的G2格局令供应链区域化趋势未变，AI狂热点燃的「算力对决」，已成为半导体战争的最前线，能够超越摩尔定律的先进封装技术备受重视。近期国内积极拓展本土IC设计、后段封测战力，也呈现浓厚的在地主义。

封测供应链业者透露，国内封测代工（OSAT）龙头长电集团，在小芯片（Chiplet）、高效运算（HPC）芯片、共同光学封装（CPO）等先进封装领域积极抢进，紧咬日月光、台积电的先进封测部门。

随着供应链一分为二，预计面向国内内需市场的半导体产品，优先在国内本土晶圆厂投片、OSAT厂封测趋势恐怕也不可逆。

由于国内市场仍相当重要，包括精测、颖崴、旺矽、雍智等台系测试治具业者，也都希望与国内客户保持良好交流，国内芯片业者也持续广纳多种矽智财（IP）架构，RISC-V架构则被视为是突破中美贸易竞争格局的利器之一。

近期长电集团举行2023年第3期在线技术论坛，力拱多样先进封测技术，并于2023年正式设立「工业和智能应用事业部」，强调以整体解决方案为核心的技术开发机制，扩大切入AI HPC、工控自动化、智能生态系统领域。

长电科技副总裁、工业和智能应用事业部总经理金宇杰表示，随着小芯片先进封测的突破和量产化，异质整合的系统级封装（SiP）技术，也加速渗透到SoC开发领域，长电将持续推出各类先进封装技术。

ChatGPT及AI的应用，推升HPC系统的高速发展，长电力推系统级、一站式封测解决方案，针对运算模块、储存模块、电源模块、网通模块全力进击，熟悉封测业者分析。事实上，这也对标日月光集团及台积电近期热门的CoWoS先进封装技术等。

长电表示，将以XDFOI技术，切入运算模块先进封装，整合多颗裸晶、高带宽存储器（HBM）等，并提出较有竞争力的成本结构。储存模块部分，则有16颗堆叠3D NAND封装、基于UFS的多芯片封装等技术。

透过2.5/3D IC封装技术，长电也能够提供「存算一体」的异质整合架构，力求降低HPC系统中不必要的数据传输，进而提升算力。

电源模块与网通模块部分，长电已经有多年功率半导体封装、量产经验，进一步抢进第三类材料碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）领域，在封装体散热能力、可靠性上，握有一定的专利。

近期各界开始注意的矽光子（SiPh）先进封装领域，长电指出，也已经跟国内、海外客户进行共同光学封装技术方案，后续将锁定到数据中心级高速数据传输。

SiP已经成为智能终端产品不可或缺的封装技术，举凡5G射频（RF）、功率放大器（PA）模块、蓝牙/Wi-Fi无线通讯模块、传感器、电源管理IC（PMIC）等。长电近期推出的双面SiP技术，可以较单面SiP再进一步缩小封装体40%体积。

熟悉半导体先进封测业者分析，国内业者在先进制程、关键设备被美方卡脖，不过在小芯片技术的辅助下，或许能够透过多组HPC芯片整合，以追上目前领头业者的最先进制程/先进封装HPC。

在不涉及先进制程的成熟芯片领域，国内半导体供应链更将高度自主化，后续对于台系IC设计、封测供应链等体系的竞合关系，也仍得持续观察。