国内SiC基板弯道超车 欧美台厂加速冲8寸

国内厂6寸基板传捷报，其他供应链得加速冲刺8寸。符世旻摄（数据照）

国内碳化矽（SiC）大厂山东天岳、天科合达近期接连取得欧洲一级供应商（Tier 1）、IDM厂英飞凌（Infineon）长期采购订单，SiC弯道超车成功机率大增。

供应链业者表示，国内厂有效切入国际厂，使SiC基板战局大改，目前包括主力供应的Wolfspeed、II VI、日本罗姆（Rohm）旗下SiCrystal、被韩国SK购并的杜邦（DuPont）、安森美（Onsemi）旗下的GT Advanced，恐怕得加速朝8寸领域冲刺。

因8寸SiC晶圆面积较大，再加上下游元件设计不断精进，使得8寸效益明显大于6寸。对于具SiC长晶优势的欧、美、日厂来说，得加速朝8寸迈进，以减少陷入与中厂在6寸价格厮杀的危机。

推测欧、美、日厂私下早意识危机到来，供应链市场传出，8寸原定为2025年才开始放量、商业化；但不少欧、美厂已提前规划在2023年落实。

国内6寸SiC基板销售重大突破，让全球SiC有望打通任督二脉，让用量大的车用、工业用如太阳能等产业在应用上加速普及。包括争抢诸多相同应用市场的绝缘栅双极晶体管（IGBT）、氮化镓（GaN）也对该变化提高警觉。

或许对SiC单一最大出海口的Tesla是项喜讯。外传下砍SiC用量达75%原因之一，即担心SiC供货跟不上才计划亮刀，或许短缺警报解除在即，Tesla的SiC模块供应主要以意法半导体（STM）为主。

近年SiC基板短缺，Tier 1及IDM厂除积极找料签约，多数也跨足上游长晶，来确保料源自主性。例如博世（Bosch）、意法、安森美等。但英飞凌未跨足自制、采多方签约。

若基于地缘政治的考量。IDM、Tier 1与国内SiC基板厂签约合作，本是可预期发展方向。功率元件被国际大厂长期寡占，近年激起其自给自足声浪，欧、美厂扩大与本土料源合作，有助在地化耕耘。

对台系SiC长晶厂包括汉民、泛富士康的盛新、环球晶、由矽力杰及中砂投资的稳晟等，也得增速朝8寸迈进，才能符合客户需求。

不过业者也坦言，随着面积愈来愈大，晶圆裂痕掌控度愈不易，良率一直是侵蚀获利的主因，预估8寸克服难度将更高。

责任编辑：朱原弘