铠侠与威腾218层3D NAND Flash出货 年内量产

铠侠与合作伙伴威腾电子，在2023年3月底宣布推出新款的218层3D NAND Flash存储器产品。铠侠

铠侠（Kioxia）与威腾电子（Western Digital）宣布，推出最新款NAND Flash存储器产品，为218层3D结构，透过制程改进，芯片数据密集度比上一代产品高出50%以上，现已开始样本出货，2023年内量产。铠侠与威腾的3D NAND Flash堆叠数，终于达到200层以上。

根据官网数据，开始出货给客户的218层3D NAND Flash，是透过先进的缩放（Scaling）与晶圆键合（Wafer Bonding）等制程技术，以及独特的架构，达成横向的缩放，并降低成本。

由于横向与垂直方向的缩放取得平衡，因此能够以更少的堆叠数、更小的晶粒尺寸，以及更低廉的成本，提供更大的数据容量。

新产品以CMOS直接键合到阵列（CBA）的技术，把个别在优化环境下制作的晶圆与存储器单元阵列CMOS回路接合起来，以提供更高的单位密度和更快的NAND输出入速度。

铠侠表示，这次的218层3D NAND Flash，已是第八代产品，且达到业界最高的数据储存密度。由于具有四个平面的1Tb TLC（Triple Level Cell）和QLC（Quad-Level-Cell），再加上横向收缩技术，把单位密度提高50%以上。数据输出入的速度，达到每秒3.2Gb以上，比上一代产品高出60%。此外写入效率和读取延迟方面，也改善了20%。

日经新闻（Nikkei）报导，目前铠侠刚开始生产162层的第六代NAND Flash，且正式迈矢量产期。新推出的第八代产品预计2023年内量产。

另一方面，韩国存储器厂、美国的美光（Micron）等对手，已在2022年宣布量产200层以上的3D NAND Flash。

责任编辑：毛履万亿