赛微电子已具备6-8吋GaN外延生产能力，加紧推动山东GaN产线建设

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12月14日，赛微电子（300456）在特定对象调研时表示，今年以来，公司GaN(氮化镓)业务团队在材料和器件上均实现了技术突破，在GaN外延片方面，公司已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟；在GaN器件设计方面，公司在技术、应用及需求方面也进行了迭代并实现销售。

目前的关键问题仍是产能供应端受限，公司也正在通过各种措施努力解决产能保障问题。一方面，公司继续与境内外GaN代工厂商进行合作；另一方面，公司正在加紧推动山东GaN产线建设。公司氮化镓设计及材料子公司聚能创芯以及氮化镓制造参股子公司聚能国际正在推进融资相关工作。

针对MEM业务产能规划情况，赛微电子提到，北京FAB3为量产线，总设计产能为3万片/月，目前一期产能1万片/月已接近建成，二期产能即2万片/月产能的建设也在进行中；公司计划、准备在北京及大湾区分别建设一条产能为3000片/月的中试线，相关投资事项正在谈判过程中；同时计划在北京建设一条产能为1万片/月的MEMS先进封装测试线。瑞典FAB12为中试线，产能为7000片/月。

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赛微电子表示，公司本身不会涉及MEMS设计领域，在MEMS产业链中将一如既往地保持纯代工的角色。公司瑞典子公司Silex自2000年成立以来已运营MEMS业务近20年，在行业内树立了不涉足芯片设计、无自有品牌、专注工艺开发及晶圆代工、严密保护知识产权的企业形象，最大程度地避免了因与客户业务冲突导致出现知识产权侵权的道德及法律风险，增加了客户的认同感及信任度。

据赛微电子介绍，在BAW滤波器方面，基于工艺及产能优势，北京FAB3已和国内领先的滤波器设计公司开展深度合作，代工产品覆盖了WiFi2.4G和5G/6G应用领域，已有验证合格的产品进入小批量生产阶段，但部分客户的产品存在消化库存问题，量产节点延后，部分客户则正在持续突破关键设计及工艺，正在推进试产及量产工作。

针对明年的资本支出情况，赛微电子表示，由于北京FAB3在今年已经开始了二期产能的扩产投资，且德国FAB5的收购未能如愿，公司明年的资本支出相比今年可能会少一些，但预计也会在差不多的水平，最终情况如何还是受到多方面因素的影响，比如瑞典FAB12选择继续扩产还是通过其他方式扩产，境内南方中试线、北方中试线及封测线的具体建设节奏。从短期来看，公司资本支出仍将保持较高强度；从中长期来看，资本支出将持续发生，会在一定时点进入相对稳定的水平，公司将综合业务发展情况、自身资金状况等因素统筹考虑安排。

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