ASML成功交付首台光刻机，来看全球EUV极紫外光刻机技术新进展

（文末有福利）

近日，荷兰阿斯麦（ASML）公司在美国芯片禁令后向上海鼎泰匠芯科技有限公司成功交付首台ASML光刻机，但是这台光刻机的制程属于DUV深紫外光，并不是最先进的EUV极紫外光设备，这一举动引发了广泛热议。

对于光刻机而言，最核心的技术就是光源，光刻机按光源技术进步次序可分为紫外光（UV）、深紫外光（DUV）、极紫外光（EUV）三大类。

当前全球能够制造EUV光刻机的企业只有荷兰ASML一家企业，日本的佳能、尼康和中国上海微电子仅能制造DUV光刻机。荷兰ASML公司的EUV光刻机采用的是美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术，中国DUV光刻机使用的是波长193nm深紫外光源技术。

图源：荷兰ASML官网

极紫外光刻技术研发突破的关键点主要是光源、掩模技术、光刻胶，那么当前全球的极紫外光刻技术研发进展如何？

从全球来看，美国和日本都在极紫外光刻方面已进行了深入的研究。小编通过查询智慧芽研发情报库，全球共有1337条专利数据（已去重同时在多个国家/地区申请的专利），其中全球“极紫外光刻”专利技术拥有者主要有：

台湾积体电路制造股份有限公司

卡尔蔡司SMT有限责任公司

旭硝子株式会社

ASML荷兰有限公司

英特尔公司等

这5家公司在极紫外光刻技术方面都有什么研发进展呢？小编在研发情报库中查询了他们在半导体领域最新申请的专利数据，简单的分享了前5件专利信息：

👉01：半导体制造设备及制造半导体装置之方法

来源：智慧芽Eureka研发情报库

👉02：用于极紫外光刻的反射掩模坯、用于极紫外光刻的反射掩模及其制造方法

来源：智慧芽Eureka研发情报库

👉03：euvl用玻璃基板、euvl用掩模板

来源：智慧芽Eureka研发情报库

👉04：光罩的制作方法

来源：智慧芽Eureka研发情报库

👉05：EUV光刻用反射掩模板、EUV光刻用掩模板及其制造方法

来源：智慧芽Eureka研发情报库

根据智慧芽研发情报库显示，当前我国关于“极紫外光刻”技术拥有者主要有：

中国科学院微电子研究所

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

哈尔滨工业大学

中国科学院上海光学精密机械研究所

北京理工大学等

其中，上述5家企业在半导体领域最新申请的极紫外光刻技术的相关专利前5件分别有：

👉01：基于空间像主成分分析的极紫外光刻投影物镜波像差检测方法

来源：智慧芽Eureka研发情报库

👉02：变倍率极紫外光刻投影曝光光学系统

来源：智慧芽Eureka研发情报库

👉03：极紫外光刻投影曝光光学系统

来源：智慧芽Eureka研发情报库

👉04：极紫外光刻掩模衍射谱的快速仿真方法

来源：智慧芽Eureka研发情报库

👉05：一种用于极紫外光刻光源中喷嘴的清洗装置与方法

来源：智慧芽Eureka研发情报库

极紫外光源被行业赋予拯救摩尔定律的使命，我国对极紫外光刻技术的探索从未停止。

小编今天仅展示了全球极紫外光刻技术的最新申请专利数据信息，还有极紫外光刻相关技术譬如光刻胶相关研发，等待你来一探究竟！

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