东芯半导体高端存储荣获“2022中国IoT大会技术创新奖”

集微网消息，12月8日，2022年中国IoT大会隆重开幕。会上，2022年中国IoT大会创新奖榜单正式揭晓。凭借高性能、高可靠性等高端存储技术优势，东芯4Gb 3.3V SPI NAND Flash荣获“技术创新奖”。

近年来，随着与人工智能、5G技术更紧密的结合及产业政策的持续支持，物联网正向着更广阔的应用场景迅速扩展。智能家居、工业机器人、新能源汽车、可穿戴设备等终端新兴产品层出不穷，物联网设备智能化产生和存储的数据种类日益增多，数据量也呈指数式剧增。

作为物联网设备实现大量数据存储的关键支撑，存储芯片的市场需求正在被快速带动。下游市场需求爆发，吸引着大批玩家蜂拥而入，东芯半导体股份有限公司（以下简称“东芯半导体”）正是其中之一。

东芯半导体成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分支机构。作为Fabless芯片设计企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

历经八载，硕果累累

本次获奖的东芯SPI NAND Flash（DS35Q4GM-IB）采用单芯片设计的串行通信方案，具有引脚少、封装尺寸小等特点。该产品在同一颗粒上集成存储阵列和控制器，内部集成ECC纠错模块，使其在满足数据传输效率的同时节约了空间，简化了客户设计，提高了产品可靠性，广泛应用于网络通讯、消费电子、高清视频监控、5G基站及服务器市场等领域。

东芯SPI NAND Flash具备完全自主知识产权，采用先进的2xnm NAND工艺制程，拥有较大的容量，填补了市场空缺，一经推出就获得市场广泛关注。此前还斩获“2022全球国际电子成就奖之年度存储器”的奖项。

历经八载，东芯半导体已打造从多品类通用型向特色型产品延伸的发展路径，形成SLC NAND、NOR、DRAM等多款产品线，并拥有自主研发能力与核心技术，多款代表公司先进技术水平的核心产品获得国内外多家知名企业的认可。

从产品类别来看，东芯SLC NAND系列产品，主要包括SPI NAND和PPI NAND，采用浮栅型工艺结构，实现了从1Gb到32Gb系列产品设计研发的全覆盖，具备产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可满足5G 基站、工业控制、监控安防、消费类电子、穿戴式设备、物联网等多场景应用领域的多样化需求。

东芯NOR系列产品主要为SPI NOR，存储容量覆盖64Mb至512Mb，支持多种数据传输模式，可满足下游可穿戴设备、移动终端等领域的需求。DRAM系列产品主要为DDR3和LPDDR，DDR3容量从1Gb到4Gb，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；LPDDR系列产品具有低功耗、高传输速度等特点，多应用于智能终端、可穿戴设备领域。

此外，东芯半导体也在探索车规级存储芯片方向。其独立研发的NAND Flash和NOR Flash车规产品均在AEC-Q100的验证过程中，目前进展顺利。

使命在肩，开启全“芯”征程

作为应用面广、市场应用率高的集成电路基础性产品之一，存储芯片的设计和制造是我国芯片领域较为薄弱的环节之一，因此布局国产存储芯片，迫在眉睫。

作为专注于中小容量存储芯片的企业，东芯半导体也在践行为国产存储事业添加砖瓦、力争上游的“芯”使命。

自成立以来，东芯半导体始终聚焦存储领域，通过不断的研发投入，打造核心竞争力。2021年，东芯半导体研发费用为7481.38万元，同比增长57.37%；2022年前三季度，研发费用已达到8392.55万元，同比增长77.11%。其研发费用维持较高投入，且研发费用率优于同行均值。

截至2022年6月30日，东芯半导体已持有覆盖主流存储芯片的境内外有效专利75项、软件著作权13项、集成电路布图设计权60项。

为进一步拓展存储市场，保证产品的稳定供应，东芯半导体积极加强与晶圆制造端厂商的合作。代工厂方面，已有两家合作伙伴分别是中芯国际和力积电，其中与中芯国际在NAND领域进行深入合作开发，积极推进产线制程，将NAND Flash工艺制程推进至1xnm，属于先进制程；在封测方面，已与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等境内外厂商建立稳定的合作关系。

当前物联网领域发展如火如荼，百舸争流奋楫者先。东芯半导体已在存储关键技术、核心产品、量产应用方面实现了深厚的积累和领跑。未来，东芯半导体将继续沿着存储道路前行，通过核心技术创新、模式创新以及生态创新，助力国产存储芯片量产落地，助推中国存储产业技术变新，开启全“芯”征程。