2025国家科技奖揭晓，半导体领域偏重底层基础技术

据报道，2025年度国家科学技术奖获奖名单于近日正式公布。本次大会共颁发258项奖励，具体包含51项国家自然科学奖、58项国家技术发明奖以及149项国家科学技术进步奖。这一举措彰显了将科技自立自强作为国家发展战略核心的决心。

在最高荣誉方面，国家最高科学技术奖授予了中国科学院物理研究所陈立泉院士与中国电子科技集团雷达专家贲德。此外，还有9位外籍专家荣获国际科学技术合作奖。陈立泉长期致力于锂离子电池及固态电池等新能源材料研究；贲德则在预警雷达等国防电子领域深耕多年，体现了对新能源与国防科技的高度重视。

在半导体与微电子领域，本届获奖成果主要聚焦于芯片自主化所需的基础科学与底层技术。例如，荣获国家自然科学奖二等奖的“高效能光电转换器的物理机制与优化”项目，致力于提升光电转换效率。随着人工智能数据中心对高速光模块需求的增加，高效率光电器件已成为关键基础。另一项二等奖成果“FinFET器件关键物理机制”，则针对FinFET器件的物理特性、可靠性及运行机制展开基础理论研究，表明官方持续支持晶体管底层理论的探索。

值得关注的是，由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所主导的一项研究荣获国家技术发明奖一等奖。官方在公布名单时仅列出研究单位，未公开具体项目名称与技术细节。长春光机所在超精密光学、精密机械及光电测量等领域具备深厚积累，是国内光刻系统核心技术的重要科研机构。业内推测，该未公开项目极有可能涉及光刻设备或系统的核心技术。在外部收紧半导体设备出口管制的背景下，此举或与技术敏感性有关，但相关推测尚未得到官方证实。

与市场预期不同的是，人工智能图形处理器（GPU）、大模型训练芯片、高带宽存储器（HBM）以及芯粒（Chiplet）先进封装等当前热门领域并未成为本届科技奖的焦点。这表明国家科学技术奖的评选导向更侧重于原始创新、基础研究以及长期的技术积累，而非短期的终端产品竞争力。整体来看，相关政策更倾向于构建涵盖设备、材料、电子设计自动化（EDA）工具、器件到制造工艺的完整自主创新体系，夯实高科技产业的底层基础能力。