三星新版MRAM曝光 采14纳米FinFET制程

三星在IEDM上发表新一代MRAM研发成果。法新社

三星电子(Samsung Electronics)新一代磁阻式随机存取存储器(MRAM)进化版曝光。据悉，新款MRAM采14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程，且是全球已发表的存储器中，数据读取速度最快、用电效率最高的存储器。

韩媒Chosun Biz消息指出，三星在国际电子元件会议(IEDM)上，发表新一代MRAM研发成果论文，而此次三星研究组开发的嵌入式MRAM(eMRAM)，已从既有的28纳米制程，升级至14纳米FinFET制程，成功大幅提升效能。三星决定将此次公开的MRAM，用于人工智能(AI)、大数据分析等领域。

事实上，三星自2002年开始，以三星半导体研究所为中心，展开新一代半导体MRAM研究。据悉，虽然三星计划以MRAM取代DRAM、NAND等存储器，但想同时增加存储器容量、降低生产成本，其开发过程中也遇过许多技术瓶颈。

从技术面来说，MRAM兼具NAND的非挥发性，亦拥有不逊于DRAM的容量密度、使用寿命，在数据处理速度方面，MRAM不仅比DRAM快10倍以上，更比NAND快1,000倍以上。此外，MRAM还具生产成本较低等优点，加上MRAM结构较简单，已可发展2纳米制程。

部分观点认为，从理论上说，在效能、容量、耐用度等评价标准中，MRAM克服现有DRAM、NAND缺点，是近乎完美的存储器。另据美国市调机构Technavio预测，2024年MRAM市场规模到将成长至9.52亿美元，预计MRAM将用于AI、大数据、物联网(IoT)等领域。

责任编辑：范维君