德国慕尼黑电子展：英诺赛科、纳微、安世半导体等亮点抢先看！

两年一届的德国慕尼黑国际电子元器件博览会（Electronica）是全球电子元件领域规模大、影响广的盛会之一，今年将于11月15-18日在线下举办。据外媒报道，英诺赛科、纳微半导体、安世半导体、安森美、AOS等第三代半导体领域的龙头企业将汇聚慕尼黑，展示各自在SiC/GaN等功率半导体领域的最新技术和产品。

英诺赛科将携低、高压GaN功率半导体新品亮相

低压产品部分，英诺赛科将展示30V-150V GaN功率器件，包含最新推出的通过JEDEC认证INN100W032A器件，电压等级100V, 典型RDS(on)值低至2.4mΩ，采用WLCSP封装，封装尺寸仅为3.5mm x 2.13mm。

同时，英诺赛科也将展示适用于轻度混合动力汽车及工业应用的2.4kW 48V-12V双向升降压转换器样品，以及采用40V InnoGaN功率器件的150W升降压转换器。英诺赛科称，这些产品解决方案的尺寸及性能优势，体现了英诺赛科产品在驱动下一代USB-C, PD3.1设计的能力。

此外，英诺赛科也将展示双向（BiGaN）功率器件，这据称是首款导入手机内部的GaN器件，用于OPPO智能手机的电池管理系统。

高压产品中，英诺赛科将重点展示650V高压GaN功率器件产品组合，该系列产品导通电阻涵盖30毫欧到2.2欧，能够满足各种场景的功率转换器应用。

值得关注的是，英诺赛科将推出JEDEC认证的新型650V GaN HEMT INN650D080BS产品，典型RDS(on)值为60mΩ，采用尺寸为8x8的标准DFN封装，这款产品已开始用于英诺赛科与两大合作伙伴联合开发的项目。

其中，英诺赛科与比利时鲁汶大学/Energie Ville合作采用650V GaN HEMT INN650D080BS器件开发400V双有源桥式（DAB）转换器，功率超1kW。英诺赛科与瑞士伯尔尼高等专业学院（BFH）研究所联合开发的项目也采用了这款器件，目的是开发800V多电平转换器。

除此之外，高压GaN HEMT系列中，英诺赛科也将展示一些样品，重点包括一款基于INN650D140A器件的紧凑型300W PFC + LLC 电源，广泛适用于消费家电、工业应用、计算机、医疗及游戏等丰富场景。

纳微半导体将展出GaN及SiC最新产品

●新型65V MHz GaNSense氮化镓半桥功率ICs，搭载自动、低损耗感测功能，防护速度快6倍；

●新型750V-6.5kV GeneSiC碳化硅MOSFET，以耐高温、高速度性能为主要特点；

●200W移动快充，10分钟内可实现0-100%的充电；

●电动车车载充电器及22kW DC-DC设计产品，尺寸、重量缩小20%；

●“Titanium Plus”2.7kW高效电源，适用于数据中心场景；

●高速、高效电机驱动，适用于家用电器、工业自动化等场景；

安世半导体将展出GaN、SiC相关样品

●CCPAK：新型表面贴装铜片夹扣键合（Copper Clip）封装，适用于功率GaN；

●GaN FETs双脉冲评估板；

●650V SiC整流器动态性能测试评估板；

●含电池充电机的电源管理IC，适用于无线传感器及由纽扣电池驱动的IoT应用；

●首款功率转换应用栅极驱动IC；

安森美将展示搭载其SiC技术的奔驰汽车

AOS将展示车用、工业应用SiC MOSFET