氮化镓“黑马”动态连连，GaN功率器件外延片产品正式投产

昨日，宏光半导体有限公司（以下简称：宏光半导体）宣布，近期已开始生产6英寸氮化镓（GaN）功率器件外延片，远早于预期时间。

公司已成功制造外延片，为快速产业化及量产第三代半导体铺路，转型成为第三代半导体GaN 供应商，这是公司迈向第三代半导体GaN商业化的里程碑。

2024年开始投产，半导体业务步入收成期

宏光半导体预计2023年第二季度将开始芯片试产，于2024年初前开始投产。此外，公司已于今年下半年推出GaN相关快速充电产品，如快充充电器。

宏光半导体管理层对公司第三代半导体业务的发展充满信心，认为GaN 在新兴应用领域如新能源汽车行业有巨大的优势。

目前，公司生产的外延片产品已正式投产，半导体芯片业务将逐渐步入收成期。

与协鑫合作，加速GaN领域布局

值得注意的是，今年8月，宏光半导体宣布按配售价每股3.20港元向不少于六名承配人配售3,000万股新股。

此外，宏光半导体与朱共山先生之间接全资拥有的常盛有限公司（“战略投资者”）订立投资协议，宏光半导体已有条件同意发行，且相关战略投资者已有条件同意认购6,000万股认购股份及6,000万份认股权证。

朱共山先生是协鑫科技的创办人兼执行董事，有“世界硅王”、“新能源之王”等诸多头衔。据了解，此前朱共山已投资了国内两家半导体企业。

9月7日，宏光半导体在港交所公告，公司与协鑫集团有限公司订立战略合作框架协议，拟于氮化镓功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作。

据悉，宏光半导体主营产品包括发光二极管(「LED」)灯珠、新一代半导体氮化镓(「GaN」)芯片、GaN器件及其相关应用产品以及快速充电产品的设计、开发、制造、分包服务及销售。