美光1β DRAM制程进度傲视竞争者 领先对手达2季度以上

美光存储器制程维持2季度领先态势

虽然市场传出其他竞争对手打算超车追赶，Thy Tran表示，在关注竞争对手的态势之余，美光仍然维持自己发展步调，从量产进度来看，当初原先预期在1α制程可能领先约2季度，但结果却是足足领先1年，如今看来1β制程至少也能领先2个季度，预计在未来下一代的1γ(1 gamma)也将维持领先的成绩。

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示，虽然半导体市场总会经历起伏循环周期，但美光的目标是希望维持位元市占率及扩大获利能力，而1β DRAM 正代表存储器技术的飞跃式创新，主要来自于独家的多重曝光微影技术、领先的制程技术，以及先进的材料能力，并将每存储器晶圆的位元数提升到史上新高。

美光1β节点有独家技术 不需使用EUV设备

相较于其他韩系存储器大厂陆续启用极紫外光(EUV)设备，透过设备克服物理极限的技术挑战，美光强调，在1β节点将透过先进纳米制造能力与微影技术，以跳过仍处于新兴阶段的极紫外光技术，并应用美光独门的先进多重曝光技术和沈浸式微影能力，以最高精确度做出这些微小的电路特征。由于1β节点可将更高的存储器容量塞入更小的空间内，降低每位元数据的成本。

美光指出，由于DRAM的技术进展，主要取决于如何在每平方毫米的半导体面积内，提供更多和更快的存储器，这将需要缩小电路，将数十亿个存储器单元收纳在约莫指甲大小的芯片中。随着每个制程节点的演进，半导体产业每一两年缩小芯片尺寸缩小1次。

1β节点产品率先应用于LPDDR5X移动存储器

1β节点降低功耗约 15%，提升位元密度超过35% ，每颗晶粒容量可达 16Gb，将率先用在美光的LPDDR5X移动存储器上，最高速度来到每秒8.5 Gb等级。除了移动设备外，1β带来的低延迟、低功耗、高效能DRAM，更可支持各种高度回应式服务、实时服务、体验的个人化与脉络化，从智能车辆到数据中心均可受惠。

Scott DeBoer表示，美光在2022会计年度的MCP多芯片封装约有50% DRAM及60%NAND，采用1a制程及176层技术，2022年7月已出货独步全球的232层NAND，随着 LPDDR5X开始送样，预期移动设备生态系将率先受惠于1β DRAM所带来的效能显着提升以及更低的功耗，手机客户将能设计出电池续航力更久的装置。

随着网络趋势将需要快速、无处不在、节能的存储器来推动数码化和自动化；美光表示，1β DRAM 节点将为互联世界的进步打造灵活好用的基础，在需要大量数据的智能装置、系统和应用程序达到更节能的数据传输，2023年将开始在嵌入式、数据中心、PC、消费电子、工业和汽车领域扩大导入1β产品组合，包括绘图存储器、高带宽存储器等。