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来源:韩青秀发布时间:2022-11-014222浏览
询问 AI地缘政治角力加剧,美国祭出重手强化国内半导体产业的管制,除了扼杀国内发展16纳米以下先进制程外,存储器也成为此次禁令的风暴中心,DRAM的18纳米或更先进制程、NAND Flash芯片的128层或更高层数产品纳入管制范围,似乎意味着存储器与逻辑运算整合,将是未来国际科技角力竞赛的重点。
透过层层压制与控管,此次不仅将重挫国内存储器产业发展,在其自主化技术升级的道路布满荆棘,也将有效牵制韩国存储器大厂投资布局国内市场,进而巩固Chip 4联盟作为压制国内半导体防线成形,全球存储器产业将在此波科技封锁战下重塑版图。
在美方施压下,美系半导体设备大厂如应材(Applied Materials)、科林研发(Lam Research)、科磊(KLA)等迅速撤离国内半导体晶圆厂区,包括长江存储、长鑫存储等顿时陷入孤立无援,即使设备厂派驻的维修、装机人员是国内籍,但设备技术都属美国,必须先停止使用,等到获得申请许可之后才能恢复,虽然短期内仍可维持正常生产运作,但后期维护及产线协助等只能靠自力救济。
尽管国内存储器业者已陆续提早下单设备订单,但美国10月7日禁令发布即刻实施,所有尚未交付的设备订单只能全数退回预付款,新一波半导体管制紧缩风行雷厉,不留弹性缓冲时间,更甚于先前对中芯国际、华为的禁令强度。近日传出苹果(Apple)iPhone可能决定停用长江存储的芯片,首家国内存储器业者打入苹果供应链的雄心化为泡沫,预料将引发其他国际品牌大厂相继跟进喊停的产业效应。
DRAM卡关成紧箍咒 长鑫制程、扩产双止步
全球DRAM产业长年掌握于三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix) 与美光(Micron)等国际三大厂手中。长鑫存储作为最大国内存储器业者,近年来并未积极投入标准型存储器的一级战场,有意调整策略以17纳米制程打入利基型存储器市场另辟蹊径,锁定消费性电子及物联网(IoT)、智能家居应用等国内内需市场,再逐步站稳主流规格,并规划2023年挑战DDR5及LPDDR5等新时代产品。
长鑫的代工大客户万亿易创新曾在9月正式宣布量产17纳米DDR3产品,但熟悉内情者指出,长鑫从19纳米制程升级至17纳米的进度并不顺利,甚至比预期延后了1年以上,但在机台设备使用上,长鑫的量产机台几乎是来自原有19纳米设备的升级与改良,若实际检验其效能与规格,所谓的17纳米制程仍尚未达到三星、美光等大厂同等级的水准,虽然长鑫有意推动14/16纳米新制程的开发规划,但跨越的难度与门槛更高,对长鑫而言,沿用既有设备机台至少可以维持未来5年内的量产需求。
虽然美国禁令是限制DRAM的18纳米或以上制程设备,但业界指出,长鑫的19纳米设备采购仍将受到严格管制,未来美系设备厂若要再供给机台需求,必须取得长鑫签署协定及申请取许可,从大方向来看,凡是用到美国技术或来自美国工厂的设备,都需要取得许可及遵守协定,保证产品不会用于军事等领域,在中美双方紧张肃杀气氛下,业界也不期待申请许可能够获得美国官方同意。此外,受限于美籍人士不能直接服务或投入国内半导体运作,未来也难再取得美国设备总部任何技术支持。
长鑫存储在合肥DRAM厂原本建置新厂,第一期厂房建设已全部完成,但第二期厂房尚未建设完成,故长鑫先前只向设备厂下口头订单,原本规划储备战力可达月产能10万片以上,但根据估计,如今在17纳米制程的良率顺利提升下,2022~2023年的月产能将从6.5万片提升至8万片左右。
对照福建晋华当年的处境,在遭到禁制处分后,仍可透过外部辗转购买二手设备零件,低调求生以勉强维持产线运作,但不同于当时个别厂商的限制,2022年美国的科技禁令则是全面性的政策压制手段,长鑫存储发展困局将更加深受国际政治竞局的严格箝制。
长江存储遭锁定成箭靶 国内国产设备同遭殃
随着长江存储技术超车迈向232层3D NAND的里程碑,128层3D NAND量产良率也提升至80%以上,外界看好其成为国内存储器迈向自主化的领头霸主,甚至未来超越美光NAND Flash的全球市占率。尽管长江存储靠着Xtacking架构避开产业专利的限制,却难逃成为美国政界及舆论的众矢之的,尤其是长江存储违规向华为供应芯片的嫌疑,在美国公布芯片新禁令之际,官方也将长江存储列入未经核实清单(Unverified List),距离列入黑名单仅剩不到60天大限。
回溯美方公布新禁令之前,长江存储的关键人物杨士宁于9月底闪辞CEO,引发业界揣测,具有美国籍的杨士宁提前卸下职务,似乎预告禁令制裁风暴即将袭来,美国的制裁对象不仅针对公司、也包含个人,一旦长江存储列入黑名单,CEO身份恐面临褫夺公权的处分;然而随着美国扩大对科技人才管制,所有具美籍身份的国内半导体高端主管及技术研发都将被迫选边站,若不辞职退出,就得选择放弃美国身份,全面蔓延至国内半导体人才辞职潮的集体风暴。
据指出,长江存储的武汉一期厂房进入满产,二厂在当地政府大力支持下进入设备安装阶段,虽然长江存储提前导入设备的动作马不停蹄,但业界人士指出,过去华为遭到禁制,内部曾亲自派专机紧急载回已下单的货品,原本预期长江存储在尚未列入黑名单前,仍有60天现场查核说明的缓冲期,不料隔天美系设备厂人员已展开撤离,长江存储尚未完成拉货的设备订单被迫取消,并退回预付款项。
市场估计,长江存储月产能约达10万片以上,原本预期2023年可望上看15万片,但设备出口限制实施后,扩产进度必然遭阻断,产能位元增加将低于预期,虽然长江存储对外宣布成功开发232层NAND制程,但缺乏关键量产设备,最终仍无法验证其量产良率,面临巧妇难为无米之炊的困境。
国内半导体晶圆厂面临关键设备断炊,将冲击国内本土设备厂的发展。据估计,长江存储、合肥长鑫、中芯国际等大厂几乎囊括国产设备约5成需求,未来国内半导体厂缩减扩产进度,本土设备厂也将遭到池鱼之殃,其中,2021年长江存储约占中微科技、盛美上海营收比重达2成,华海清科更有6成以上营收来自长江存储,虽然国内晶圆厂必然加速国产设备制程的认证,但半导体设备开发不可能一蹴可几,即使短期内能维持既有设备进行量产,但关键零组件替代及制程设备的断层问题仍将陆续浮现及扩大。
地缘政治牵动产业版图 美恩威并施巩固Chip 4联盟
美国出口管制禁令掀起国内半导体芯片海啸,长江存储更是首当其冲,虽然其尚未列入美国实体清单,但设备维护及料源供应都将面临考验。市场传出,苹果将自主暂停采购,政治压力当头,国际品牌大厂的寒蝉效应俨然浮现,而国内扩产受阻,对供过于求的NAND Flash产业现况将带来缓解。
虽然国内存储器产业受到严重打击,但各家存储器大厂却未必同样受惠,毕竟长江存储的产能本来就有限,供应苹果或国际品牌的比重并不高,甚至国内供应链及下游客户更将扩大采用以支持长江存储。
美光 / 流弹会否波及美国厂?
在存储器市况低迷下,美光日前虽然释出将减缓资本支出投入及放缓位元生产的调整作为,但美国《芯片与科学法案》(CHIPS and Science Act,下称芯片法案)的诱因,吸引美光承诺在20年内斥资1,000亿美元于纽约州兴建大型半导体工厂,以加速发展美国半导体制造产业,第一阶段投资金额预估200亿美元,但在中美情势剑拔弩张的氛围下,作为美国代表性半导体业者,美光虽然未在国内设置晶圆产线,但未来拓展国内市场如何避免遭到流弹波及,将深具挑战。
三星 / 1年豁免,难抵未来布局动辄得咎
美国打压国内半导体的这波禁令,虽然提供韩国科技大厂1年豁免期,短期内无损韩系存储器厂商的正常量产与运作,但设备禁令依然带来潜在商业风险,尤其是豁免令在1年后是否还会延长的变量,无异将韩厂在国内的生杀大权交由美国决断,而上游原厂要如何确保出货产品的流向将成为一大难题,若不慎擦枪走火或辗转销售至黑名单厂商及管制应用,届时误踩地雷恐惹祸上身,且美方围堵策略是否进一步紧缩、中美国际政治角力会否加剧等变量,势必影响外国厂商投资布局国内的信心。
三星西安一厂及二厂合计月产能约25万片,相当于三星NAND总产能40%、全球NAND Flash产能10%,三星在西安NAND Flash厂累计已投资达258.7亿美元,目前量产制程以128层NAND为主,但未来升级至176层制程的难度提高,设备管制禁令也将卡住三星在国内的布局动辄得咎。
SK海力士 /最糟情况下,考虑出售国内厂
SK海力士在无锡设有DRAM厂房,制程转进已演进到1Y纳米,约占全球DRAM产能10~13%,且收购英特尔(Intel)NAND业务的Solidigm原本规划在大连建厂。但日前SK海力士指出,在「最糟情况」下会考虑出售位于国内的存储器芯片厂,虽然是针对可能性极低的极端状况,但也意味着禁令限制的不确定性已让韩厂难以心安,有如芒刺在背。
从战略意义来看,透过棍子与胡萝卜齐下的策略,美方完美展现主导全球科技发展的绝对地位。原本对加入Chip 4联盟仍犹豫不决的韩国,在此次美国科技禁令发布后,不得不加速明确表态加入由美方主导的联盟阵营,加上先前美国芯片法案推动晶圆制造厂回流美国,三星、SK海力士承诺将提高在美投资生产比重,包括三星已发下豪语,未来计划在德州投资超过2,000亿美元,推测存储器业务会成为规划项目之一。
存储器产业虽然受到市场周期循环影响,但客观需求量及技术成长推动力依然会存在,美国透过设备管控、人才限制,重挫国内存储器及半导体发展,推动全球产业格局与版图重新洗牌,过去的产业竞争以成本优势、先进技术为优先,但随着半导体产业走向区域化发展,潮流趋势走向将转为国家科技竞赛优先,而存储器如同人脑运作的两大重点,在逻辑运算之外,记忆储存具有等量齐观的重要性,成为美国未来遏制国内半导体发展布局中不可或缺的重要环节。
责任编辑:陈至娴
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