聚焦化合物半导体，格恩半导体获创合鑫材基金投资

近日，安徽格恩半导体有限公司（以下简称“格恩半导体”）获创合鑫材基金独家投资。

资料显示，格恩半导体成立于2021年，主营高端化合物半导体外延材料、芯片及器件的研发、生产和销售，具备大功率半导体激光器、紫外LED、高功率LED批量生产能力，多款产品实现国产化替代。

目前，格恩半导体是国内唯一兼具技术和量产能力的厂商，拥有国内领先的蓝绿光半导体激光器及高功率LED生产线，也是全球少数在该领域拥有外延生长、芯片研制以及器件封装产能的企业。

Source：格恩半导体

凭借在化合物半导体，尤其是GaN材料领域多年的研发和生产经验，格恩半导体团队攻克了一系列技术难点，包括设计非对称垒结构，通过参数控制、机台预处理、特殊掺杂改善铟析出、控制缺陷密度、芯片倒装结构设计、改善腔面制作技术、芯片级共晶焊接等，实现了蓝绿光激光芯片的量产。

今年6月，安徽格恩半导体项目一期在安徽省六安市金安区点火投产。该项目总投资20亿元，于去年10月15日开工建设，预计年销售收入可达7亿多元，年利润约2亿多元，年纳税额约1亿元。