2000片/月，这家功率半导体龙头SiC产线迎来新进展

10月23日，士兰微发布对外投资进展公告称，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。

目标直指月产能2000片6英寸SiC芯片

据悉，士兰明镓SiC功率器件生产线项目是公司2022年非公开发行募投项目之一的“SiC功率器件生产线建设项目”。该项目于今年7月正式启动，计划投资15亿元，建设一条6英寸SiC功率器件芯片生产线。目前，士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。

同时，士兰微目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。

士兰微持续加码碳化硅

作为第三代半导体材料的典型代表，SiC具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体器件材料。

除了士兰明镓SiC功率器件生产线项目取得新进展外，士兰微还在10月14日宣布拟定增募资不超过65亿元，用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目(一期)和补充流动资金。

其中，“年产36万片12英寸芯片生产线项目”建成后将形成一条年产36万片12英寸功率芯片生产线，用于生产FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片产品；

“SiC功率器件生产线建设项目”达产后将新增年产14.4万片SiC-MOSFET/SBD功率半导体器件芯片的生产能力；

“汽车半导体封装项目（一期）”达产后将实现年产720万块汽车级功率模块的新增产能。

此次扩产是士兰微长远发展的重要一步。叠加士兰明镓SiC功率器件生产线项目的顺利进行，士兰微后续在IGBT、SiC和车规级功率模块领域的发展将获得充足的产能保障。