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来源:范维君发布时间:2022-08-172022浏览
询问 AI传三星电子(Samsung Electronics)预计2022年底前,量产堆叠236层3D NAND。继美光(Micron)量产堆叠232层3D NAND后,SK海力士(SK Hynix)及长江存储传开发堆叠238层、232层3D NAND,在后起之秀相继竞逐230层的压力下,三星终于正式展开回击。
综合朝鲜日报、首尔经济等报导,韩国业界近日传出消息,三星预计2022年内量产堆叠236层3D NAND。传三星日前已完成第八代(236层)3D NAND开发,计划年内宣布量产,将是业界堆叠层数最高产品。
消息人士表示,尽管三星已拥有堆叠至200层或更高层技术,但在NAND市场中,三星一直采取确保高良率与最大化收益策略。换句话说,三星认为与其炫耀堆高层数,能够引领市场潮流更加重要。
2013年三星率先推出全球首款3D NAND产品,但是从2021年开始,三星先后将堆叠176层和232层3D NAND的第一头衔让给美光。尽管有人担心三星技术主导地位式微,但三星方面强调,与其不断增加产品堆高层数,客户需要时发布最高效率产品更重要。业界人士分析,三星预计以现有产品群及堆叠236层新产品,进一步提升企业服务器市场等的获利表现。
另一方面,为了加速新一代NAND、晶圆代工等技术开发,三星DS(Device Solutions)部门预计近日,将于器兴园区举行新研发中心奠基仪式,正式投入相关设施建设。器兴可说是三星半导体发源地,新研发中心建于此别具意义。
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