芯片法案抗中防火墙设限 先进/成熟制程界定台韩业者承压

从目前草案内容来看，提及企业若获得补助在美建厂，未来10年将不得扩大在国内28纳米制程以下芯片制造业务，却又言及可继续投资在「传统芯片」生产。但问题在于，并未明确定义「传统」的界限，预计将成为参众两院争议焦点。

再者，根据参众两院议员受访谈话，半导体厂商既然要向美国政府申请建厂补贴，拨款就会有附带条件，凡是获得美方补助者，禁止在国内新建或扩建「先进制程」工厂。但此说法，却又与外媒取得的草案内容、设限28纳米以下制程芯片赴国内投资，两者间似乎并不一致。

目前传出有意申请补贴的业者，包括英特尔(Intel)、台积电、三星电子(Samsung Electronics)、格芯(GlobalFoundries；GF)等厂。台积电在国内营运松江8寸厂，与南京12寸厂，松江厂受限空间扩产不易，南京厂目前以成熟制程为主，尤其是近年来针对中美对抗态势做出策略调整，以服务车用电子需求的28纳米产能建置。

业界传出，南京12寸厂本来主要业务提供7纳米产能，但在G2态势下，近年来逐渐将敏感的先进制程移出国内，同时台积电也扩大在中国台湾、日本、美国等地先进制程产能，包括竹科2纳米厂、南科3纳米厂、美国5纳米厂，以及日本熊本厂建置22／28纳米与12／16纳米产线。

无论是业界严格意义上的「先进制程」定义，抑或是芯片草案提出的28纳米制程设限，即便台积电取得美方补助建厂资金，在现阶段也可以满足法案拨款附带条件的要求。不过，相较英特尔德国马格德堡2座新厂，将获得来自欧洲芯片法(European Chips Act)近68亿欧元(约合70亿美元)的资金补助，假使台积电取得美方30亿～50亿美元补贴后，长达10年的时间里，若是南京厂只能停留在28纳米节点，在执行细节上仍有待深究。

而在国内西安、无锡等地经营晶圆厂的韩厂三星与SK海力士(SK Hynix)，后者虽已进入10纳米级DRAM量产，但尚未传出赴美设厂与申请补贴。

至于三星除了斥资170亿美元落脚德州泰勒(Taylor)扩建12寸新厂，三星在国内3D NAND产线，贡献整体产能上看4成，可说是三星旗下所有NAND Flash晶圆厂产能最高所在。假使三星取得赴美设厂补贴后，国内西安厂未来被限制继续升级技术与扩建厂房，对三星影响不可谓不大。

尤其三星与SK海力士目前被夹处在中美对抗态势下，面临两难，正密切观察尹锡悦政府将如何回应拜登政府力邀加入「四方芯片联盟」的要求，据韩媒东亚日报引述政府官员表示，政府一方面正在蒐集业界动向，但由于四方芯片联盟将成为「韩美全面战略联盟」的枢纽，韩国政府的立场将不会由产业界的经济收益或损失来决定。

三星或许可以放弃向美方申请520亿美元补贴大饼，但以韩国2021年半导体出口总额1,280亿美元为例，国内市场约占其出口的60%，国内采购全球DRAM与NAND Flash分别上看35%比重，最大的两大存储器交易对象就是三星与SK海力士。

假使尹锡悦政府最终拍板加入美台日韩四方芯片联盟，引发北京当局经济报复，表面看来似乎失之东隅，收之桑榆，但业界的冲击恐怕不是美国芯片法案数十亿建厂补贴，所能弥补的。