美切断国内取得EDA软件之路 GAA制程管制10月生效

美祭出EDA软件先进技术输中设限，公众评论期间业者可发声

值得注意的是，包括极宽能隙半导体基板材料氧化镓(Gallium Oxide；Ga2O3)与金刚石(diamond)，以及前述关于增压燃烧技术等，在国家安全管制理由下，未来出口国内需经申请特许执照，且这三项技术出口管制，将自8月15日起生效实施。

但关于电子电脑辅助设计(Electronic Computer Aided Design；ECAD)软件的出口国内管制规定，将寻求公众评论意见，自即日起至9月14日截止，利害关系人可向商务部工业安全局(BIS)提出书面评论、数据以及分析意见，而这项针对开发GAA制程芯片的EDA软件出口管制新规，预定从10月14日起实施。

相较于三星晶圆代工(Samsung Foundry)抢先在2022年6月底，大动作宣布3纳米GAA制程第一代量产，台积电2022下半年量产的3纳米制程，仍采相对稳定的鳍式场效晶体管(FinFET)设计，而且台积电也确定要到2025年才转入GAA晶体管设计。

综观FinFET晶体管从英特尔2011年导入以来，由于制程节点持续微缩，已经到了必须寻求其他替代方案的时候，无论是三星认为未来3年可说是全球首发GAA制程后，超前台积电的关键时刻，抑或是英特尔(Intel)规划2024下半年、台积电2025年导入GAA制程，均着眼于GAA架构能够更为精确的控制电流。

根据刊登在美国联邦公报(Federal Register)的信息显示，商务部工业安全局提示的但书条款(saving clause)强调，关于EDA出口国内管制新规生效说明，但凡此前业已取得豁免出口许可，抑或无须特准执照的产品，只要在11月14日午夜前启动出口、再出口、转运等实际订单移动，仍可依约输往目标国，至于11月14日之后，则需沿用出口管制新规，向商务部申请出货许可。

中芯、华虹停留14纳米时代

有监于此，即日起至11月中旬前，再加上商务部寻求的公众评论期间，恐怕国内相关业者也有可能启动向三大EDA业者积极下单移动，然尽管EDA软件输中设限，此番仅针对开发GAA晶体管架构芯片等先进技术，且由于GAA制程仍以3/2纳米以下先进制程方才导入，而国内半导体业者包括中芯国际、华虹半导体等两大晶圆代工业者，目前仍停留在14纳米时代，进入FinFET晶体管架构练兵不久。

至于国内具有7纳米芯片设计能力的AI新创业者寒武纪、地平线、燧原科技在内，至今为止的先进制程推进量产，业界传出均低调在台积电投片，尤其是中芯日前法说会也并未证实或评论，是否公司已推进到7纳米时代，中芯在现阶段是否真有必要向欧美业者采购针对GAA制程的相关EDA软件，仍在未定之天，至于美国商务部此番切断国内业者取得3/2纳米以下GAA制程EDA设计支持，恐怕只能打击到国内AI新创业者的快速推进。

中芯国际官网仍停留在14纳米制程时代，导入FinFET架构量产不满3年，即便是向下推进到7/5纳米时代，仍无须将研发投入在GAA晶体管架构开发。此外，特别是EDA软件的供应重点，在于采购取得授权后，可以自业者持续取得软件更新等服务，美国商务部恐怕也将祭出移动、切断国内业者迂回取得EDA先进技术授权的管道。

美国政府此番特别聚焦在新时代新兴技术与基础科技，锁定强化出口管制措施，联合全球多国、阻断国内推进先进半导体产业蓝图，除了强调管制支持3/2纳米先进制程晶体管架构GAA技术的EDA软件出口设限外，也特别针对第四代半导体材料包括氧化镓及金刚石，实施管制。

第三类半导体的碳化矽(SiC)与氮化镓(SiC)等宽能隙半导体，可以满足现代电子技术对于高温、高功率、高压、高频等恶劣条件的新要求，而透过高压实现的宽能隙技术，意味着更高的效率，还能缩减冷却系统的尺寸等。而氧化镓和金刚石的优势在于耐压、电流、功率，也能防止5G、IC等过热，适合应用在高压与高频、高功率等需求。